公开(公告)号：CN107452737B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201610943990.1

申请日：2016-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅淑芳 ,  黄崎峰 ,  陈家忠 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓

IPC: H01L27/085

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。

公开(公告)号：CN109860173A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811248683.7

申请日：2018-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高境鸿 ,  黄崎峰 ,  蔡辅桓 ,  梁其翔

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 在一个实施例中，集成电路装置(IC)包括半导体基板、配置在半导体基板上的隔离区域以及主动区域、配置在主动区域上的栅极堆叠以及配置在主动区域中并且在第一方向上被插入栅极堆叠的源极以及漏极。主动区域至少部分地被隔离区域所围绕。主动区域的中间部分在第二方向上横向地延伸超过栅极堆叠，第二方向与第一方向正交。

公开(公告)号：CN115565948A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210247045.3

申请日：2022-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡行易 ,  蔡辅桓 ,  陈家忠 ,  李孝纯 ,  黄崎峰 ,  吕卓颖 ,  梁其翔

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含栅极结构、源极区、漏极区，及隔离结构。所述栅极结构包含第一部分、第二部分，及第三部分。所述第一部分在第一方向上延伸，且所述第二部分及所述第三部分在第二方向上延伸。所述第二部分及所述第三部分经放置于所述第一部分的相对端处。所述源极区及所述漏极区被所述栅极结构分开。所述隔离结构环绕所述栅极结构、所述源极区及所述漏极区。所述第一部分具有第一侧壁，所述第二部分具有第二侧壁，且所述第三部分具有第三侧壁。所述第一侧壁、所述第二侧壁及所述第三侧壁是平行于所述第一方向且彼此对准以形成直线。

公开(公告)号：CN106252232B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201610090342.6

申请日：2016-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓 ,  谢协宏 ,  叶子祯 ,  蔡汉旻 ,  朱虹霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。

公开(公告)号：CN106252233A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610107907.7

申请日：2016-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓 ,  谢协宏 ,  叶子祯 ,  蔡汉旻 ,  朱虹霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H03D7/16

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/167 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785 ,  H03D7/16

Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括上部沟道注入晶体管的半导体器件的方法。方法包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍。一个或多个鳍包括沿着第一方向的第一区域和在第一区域的两侧上沿着第一方向的第二区域。掺杂剂浅注入鳍的第一区域的上部中而不注入第二区域中并且不注入鳍的第一区域的下部中。在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极结构形成在鳍的第一区域上方，并且源极/漏极形成在鳍的第二区域上方，从而形成上部沟道注入晶体管。本发明实施例涉及高注入沟道半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106252232A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610090342.6

申请日：2016-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓 ,  谢协宏 ,  叶子祯 ,  蔡汉旻 ,  朱虹霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。

公开(公告)号：CN107452737A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610943990.1

申请日：2016-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅淑芳 ,  黄崎峰 ,  陈家忠 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓

IPC: H01L27/085

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/785 ,  H03K3/0315 ,  H01L27/085

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。

公开(公告)号：CN107437558A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710299656.1

申请日：2017-05-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁其翔 ,  黄崎峰 ,  蔡辅桓 ,  郭舫廷 ,  何孟昌 ,  魏佑霖

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66174 ,  H01L29/93 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42356

Abstract: 一种低噪声装置包括隔离特征，所述隔离特征位于衬底中。所述低噪声装置进一步包括栅极堆叠，所述栅极堆叠位于所述衬底中的沟道的上方。所述栅极堆叠包括栅极介电层以及栅极电极，所述栅极介电层延伸于所述隔离特征的一部分的上方，所述栅极电极位于所述栅极介电层的上方。所述低噪声装置进一步包括电荷陷获减少结构，所述电荷陷获减少结构相邻于所述隔离特征。所述电荷陷获减少结构被配置用以减少与所述隔离特征与所述沟道之间的界面相邻的电荷载流子的数目。