-
公开(公告)号：CN110834820A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910202168.3
申请日：2019-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种湿度控制储存装置包含多个平板，这些平板配置以形成一密闭容积(Enclosed Volume)。这些平板中的第一平板包含进气口与出气口。储存装置还包含净化系统，此净化(Purge)系统具有进气管路、气体供应系统、以及气体抽出系统。进气管路包含喷嘴与耦合于进气口的圆筒部。气体供应系统配置以供应净化气体给进气管路。进气管路配置沿一方向将净化气体输出至密闭容积中，而在密闭容积内形成圆形或椭圆形的气流图案。气体抽出系统耦合于出气口，且配置以将净化气体从密闭容积中抽出。
-
公开(公告)号：CN1661800A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410088048.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种半导体无线频率(RF)组件，此组件具有一个护罩结构，用以降低RF被动组件及主动组件的传导绕线之间的耦合效应。在一范例中，此组件于RF被动组件及传导绕线间设有至少一个护罩层。此护罩层包含至少一个开口。在另一范例中，可使用第二个护罩层。此第二护罩层也同样可以含有一个开口，且第一及第二护罩层中的开口彼此错开。第一及第二护罩层可透过一防护环来彼此连接，且亦能连接到一共同电位。
-
公开(公告)号：CN110961299A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910154064.X
申请日：2019-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 用于自动清洁气体供给系统喷嘴的喷嘴清洁设备，这个设备包含运送器，以及在运送器内的自动喷嘴清洁系统。该运送器还具有气体入口，这个气体入口密封地接合于气体供给系统的喷嘴。自动喷嘴清洁系统包含第一种喷嘴清洁装置，第二种喷嘴清洁装置，以及功能切换片。功能切换片包含多个通孔，当功能切换片切换至第一位置，多个通孔里的第一通孔配置以接合具有气体入口的第一种喷嘴清洁装置，而当功能切换片切换至第二位置，多个通孔里的第二通孔配置以接合具有气体入口的第二清洁装置。
-
公开(公告)号：CN108987227A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710407467.1
申请日：2017-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种等离子体处理晶片的方法，包括将晶片设置于反应腔体内的支撑件上。于反应腔体内产生等离子体，并通过第一偏压使等离子体中的离子射向晶片。分别在支撑件的周围的第一位置及第二位置上检测等离子体的第一离子浓度及第二离子浓度。比较第一离子浓度及第二离子浓度。当第一离子浓度与第二离子浓度的差异大于临界值，使用多个等离子体位移控制器于反应腔体内产生第二偏压，以改变等离子体中的离子的行进方向。
-
公开(公告)号：CN101320681A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200710165144.2
申请日：2007-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种电容器及半导体结构的制造方法，该电容器制造方法包括下述步骤：首先在基材上形成一介电层；再在该介电层上形成一导电层；在形成该介电层之后，注入掺杂质以穿过该介电层和导电层中的至少一个，以在介电层下方形成一导电区，其中该导电层为电容器的上方电极，而导电区则为电容器的底部电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735623A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710585519.4
申请日：2017-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/67098 , H01L21/67011 , H01L21/683 , H01L2221/67 , H01L2221/683
Abstract: 一种用以处理晶圆的装置，包含：处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。
-
公开(公告)号：CN101320681B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200710165144.2
申请日：2007-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构的制造方法，包括：在一基材的一晶体管区与一电容器区中形成一介电层；在该介电层上形成一导电层；形成一光刻层以覆盖该导电层位于该晶体管区中的一第一区，并暴露出该导电层位于该电容器区中的一第二区；注入掺杂质以穿过未被该光刻层覆盖的位于该电容器区中的该第二区的该介电层和该导电层，以在该电容器区中形成一底部电极；以及图案化该介电层和该导电层以在该电容器区中形成一上方电极和一电容器介电层，并在该晶体管区中形成一栅极和一栅介电层。
-
公开(公告)号：CN108987227B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201710407467.1
申请日：2017-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种等离子体处理晶片的方法，包括将晶片设置于反应腔体内的支撑件上。于反应腔体内产生等离子体，并通过第一偏压使等离子体中的离子射向晶片。分别在支撑件的周围的第一位置及第二位置上检测等离子体的第一离子浓度及第二离子浓度。比较第一离子浓度及第二离子浓度。当第一离子浓度与第二离子浓度的差异大于临界值，使用多个等离子体位移控制器于反应腔体内产生第二偏压，以改变等离子体中的离子的行进方向。
-
公开(公告)号：CN108735623B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710585519.4
申请日：2017-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 一种用以处理晶圆的装置，包含：处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。
-
公开(公告)号：CN100353552C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410088048.9
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明揭露一种半导体无线频率(RF)组件，此组件具有一个护罩结构，用以降低RF无源组件及有源组件的导电绕线之间的耦合效应。在一范例中，此组件于RF无源组件及导电绕线间设有至少一个护罩层。此护罩层包含至少一个开口。在另一范例中，可使用第二个护罩层。此第二护罩层也同样可以含有一个开口，且第一及第二护罩层中的开口彼此错开。第一及第二护罩层可透过一防护环来彼此连接，且亦能连接到一共同电位。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.027 seconds)
