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公开(公告)号：CN102456751B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110325882.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L2224/13
Abstract: 一种器件包括基板上的顶部金属层；顶部金属层中的含铜金属部件；在顶部金属层上的钝化层；和电容器。电容器包括至少一部分在第一钝化层中的底部电极，其中底部电极包括铝；底部电极上的绝缘体；以及在绝缘体上的顶电极。
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公开(公告)号：CN102456751A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110325882.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L2224/13
Abstract: 一种器件包括基板上的顶部金属层；顶部金属层中的含铜金属部件；在顶部金属层上的钝化层；和电容器。电容器包括至少一部分在第一钝化层中的底部电极，其中底部电极包括铝；底部电极上的绝缘体；以及在绝缘体上的顶电极。
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公开(公告)号：CN106409851A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610556826.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/1469 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例提供了一种图像传感器结构及其形成方法。图像传感器结构包括：第一衬底，包括第一辐射感测区域和形成在第一衬底的前侧上方的第一互连结构。图像传感器结构还包括：第二衬底，包括第二辐射感测区域和形成在第二衬底的前侧上方的第二互连结构。另外，将第一互连结构与第二互连结构接合。
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公开(公告)号：CN102468346B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110089947.0
申请日：2011-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件，包含：一第一MOM电容器；一第二MOM电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。藉此本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097495A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010546188.1
申请日：2010-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92 , H01L23/522 , H01L21/02
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/005 , H01G4/306 , H01G13/00 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成电路、电容器及其形成方法，该电容器包括：一第一电极，包括一底导电平面以及多个第一垂直导电结构，该底导电平面位于一基板之上；一第二电极，包括一顶导电平面以及多个第二垂直导电结构；以及一绝缘结构，位于该第一电极与该第二电极之间，其中所述多个第一垂直导电结构与所述多个第二垂直导电结构相互交错。本发明提供了较高的电容密度。
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公开(公告)号：CN114823757A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210088902.X
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及用于形成隔离结构的方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含半导体衬底、图像传感器及隔离结构。所述隔离结构相邻于所述图像传感器且放置于所述半导体衬底中。所述隔离结构包含：第一氧化物层；第二氧化物层，其在所述第一氧化物层上方；及电荷俘获层，其放置于所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间。所述电荷俘获层包含不同于所述第一氧化物层及所述第二氧化物层的材料的材料。
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公开(公告)号：CN113380844A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110593957.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 用于子像素的多个光伏结可以形成在半导体衬底中。在减薄半导体衬底的背面之后，可以在减薄的半导体衬底的背侧表面上形成至少一个透明折射结构。每个透明折射结构具有可变厚度，该可变厚度随着距离穿过子像素的第二导电型柱结构的几何中心的垂直轴线的横向距离的减小而减小。包括光学透镜的子像素光学组件可以在至少一个透明折射结构上方形成。每个透明折射结构可以减小向下传播到光电探测器中的光的倾斜角，增加光的全内反射并提高光电探测器的效率。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102468346A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110089947.0
申请日：2011-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件，包含：一第一MOM电容器；一第二MOM电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。藉此本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。
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公开(公告)号：CN116435319A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310146543.3
申请日：2023-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括具有第一侧和第二侧的衬底。衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于衬底中并且横向围绕像素区域。掺杂阱部分位于第二掺杂区域中。第二掺杂区域的部分垂直位于掺杂阱和衬底的第二侧之间。沟槽隔离结构位于半导体衬底中并且横向围绕像素区域。沟槽隔离结构的覆盖区位于掺杂阱的覆盖区内。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。
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