公开(公告)号：CN106409892A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610555184.7

申请日：2016-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡汉旻 ,  黄崎峰 ,  陈家忠 ,  梁其翔 ,  李孝纯 ,  周硕君 ,  傅淑芳

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L27/082

CPC classification number: H01L27/082 ,  H01L23/562 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/735

Abstract: 一种双极结型晶体管包括：发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间，以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。

公开(公告)号：CN107425066B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201710299984.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡铺桓 ,  蔡汉旻 ,  陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例公开了一种具有低阈值电压的FinFET变容器及其制造方法。本发明公开的方法包括提供位于衬底上方且具有沟道区、源极区和漏极区的半导体层。该方法包括在半导体层中形成阱以具有第一掺杂剂、以及将第二掺杂剂注入到阱中。第一掺杂剂和第二掺杂剂为相反的掺杂类型。阱的第一部分具有的第二掺杂剂的浓度高于第一掺杂剂的浓度。阱的位于第一部分下面的第二部分具有的第一掺杂剂的浓度高于第二掺杂剂的浓度。该方法还包括在沟道区上方形成栅极堆叠件、以及在源极区和漏极区中形成源极部件和漏极部件。阱的第一部分电连接源极部件和漏极部件。

公开(公告)号：CN106252232B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201610090342.6

申请日：2016-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓 ,  谢协宏 ,  叶子祯 ,  蔡汉旻 ,  朱虹霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。

公开(公告)号：CN107425066A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710299984.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡铺桓 ,  蔡汉旻 ,  陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的实施例公开了一种具有低阈值电压的FinFET变容器及其制造方法。本发明公开的方法包括提供位于衬底上方且具有沟道区、源极区和漏极区的半导体层。该方法包括在半导体层中形成阱以具有第一掺杂剂、以及将第二掺杂剂注入到阱中。第一掺杂剂和第二掺杂剂为相反的掺杂类型。阱的第一部分具有的第二掺杂剂的浓度高于第一掺杂剂的浓度。阱的位于第一部分下面的第二部分具有的第一掺杂剂的浓度高于第二掺杂剂的浓度。该方法还包括在沟道区上方形成栅极堆叠件、以及在源极区和漏极区中形成源极部件和漏极部件。阱的第一部分电连接源极部件和漏极部件。

公开(公告)号：CN106252233A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610107907.7

申请日：2016-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓 ,  谢协宏 ,  叶子祯 ,  蔡汉旻 ,  朱虹霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H03D7/16

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/167 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785 ,  H03D7/16

Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括上部沟道注入晶体管的半导体器件的方法。方法包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍。一个或多个鳍包括沿着第一方向的第一区域和在第一区域的两侧上沿着第一方向的第二区域。掺杂剂浅注入鳍的第一区域的上部中而不注入第二区域中并且不注入鳍的第一区域的下部中。在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极结构形成在鳍的第一区域上方，并且源极/漏极形成在鳍的第二区域上方，从而形成上部沟道注入晶体管。本发明实施例涉及高注入沟道半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN106252232A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610090342.6

申请日：2016-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔 ,  蔡辅桓 ,  谢协宏 ,  叶子祯 ,  蔡汉旻 ,  朱虹霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。