公开(公告)号：CN103715236B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310030493.9

申请日：2013-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  梁铭彰

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种器件包括半导体衬底；延伸至半导体衬底中的隔离区；高于隔离区的顶面的多个半导体鳍；以及多个栅叠层。每一个栅叠层都包括位于多个半导体鳍中的一个半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层和位于栅极介电层上方的栅电极。该器件进一步包括多个半导体区，每一个半导体区都设置在多个半导体鳍中的两个相邻半导体鳍之间并且与两个相邻半导体鳍接触。该器件进一步包括多个接触塞，每一个接触塞都位于多个半导体区中的一个半导体区的上方并且与一个半导体区电连接。电连接件电互连多个半导体区和多个栅叠层的栅电极。本发明还提供了鳍结构上的保护环。

公开(公告)号：CN103378153B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210238739.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  张胜杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本公开提供用于集成有电容器的FinFET的结构和方法，其中，半导体结构的一个实施例包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在半导体衬底中。STI部件包括设置在第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在第二区域中并具有大于第一深度的第二厚度T2的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第二部分凹陷。半导体结构还包括：多个鳍式有源区，位于半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在鳍式有源区和STI部件上，其中，一个导电部件覆盖第一区域中的STI部件的第一部分。

公开(公告)号：CN107180821A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611007441.X

申请日：2016-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  范学实 ,  黄焕宗

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/535 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66166 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本揭露提供一种半导体元件，包含鳍、多个磊晶生长区，以及至少二接触点。鳍自基板向外延伸，且包含半导体材料。磊晶生长区沿着鳍的上表面配置，其中在鳍的上表面，磊晶生长区与不具有磊晶材料的多个区域交替排列。接触点配置于与鳍电接触，其中接触点之间的电阻值至少部分取决于磊晶生长区的排列。

公开(公告)号：CN107017244A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610664839.4

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  谢仲朋 ,  杨忠杰 ,  陈柏年 ,  锺怡萱 ,  林峪群

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置于基底上的虚设鳍状结构，设置于一部分虚设鳍状结构上的虚设栅极结构，虚设栅极结构嵌入于其中的第一层间介电层，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第二层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与虚设栅极结构重叠。

公开(公告)号：CN104766886B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410266062.7

申请日：2014-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  张胜杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。在实施例中，在衬底中形成沟槽，其中，邻近沟槽之间的区域限定了鳍。在沟槽中形成介电材料。掺杂衬底的一部分且形成高掺杂剂浓度的区域和低掺杂剂浓度的区域。形成栅极堆叠，去除鳍的部分且源极/漏极区域在高/低掺杂剂浓度的区域中外延生长。形成接触件以提供至源极/栅极/漏极区域的电连接。

公开(公告)号：CN103915486A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310684897.X

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范学实 ,  张胜杰 ,  胡嘉欣 ,  梁铭彰 ,  吴显扬 ,  谢文兴 ,  黄靖方

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。

公开(公告)号：CN103715236A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310030493.9

申请日：2013-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  梁铭彰

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种器件包括半导体衬底；延伸至半导体衬底中的隔离区；高于隔离区的顶面的多个半导体鳍；以及多个栅叠层。每一个栅叠层都包括位于多个半导体鳍中的一个半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层和位于栅极介电层上方的栅电极。该器件进一步包括多个半导体区，每一个半导体区都设置在多个半导体鳍中的两个相邻半导体鳍之间并且与两个相邻半导体鳍接触。该器件进一步包括多个接触塞，每一个接触塞都位于多个半导体区中的一个半导体区的上方并且与一个半导体区电连接。电连接件电互连多个半导体区和多个栅叠层的栅电极。本发明还提供了鳍结构上的保护环。

公开(公告)号：CN103489863A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310046641.6

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  张胜杰 ,  洪照俊 ,  陈重辉

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/861

Abstract: 通过利用鳍式场效应晶体管(FinFET)形成工艺中的各个工艺步骤，在包括FinFET的IC器件中形成二极管和双极结型晶体管(BJT)。二极管或BJT包括隔离鳍区域和鳍阵列区域，具有不同深度的n阱和位于鳍阵列区域的一部分中并围绕隔离鳍区域中的n阱的p阱。与FinFET的n阱和p阱一起注入二极管和BJT的n阱和p阱。本发明提供了采用鳍式场效应晶体管工艺的同质结二极管结构。

公开(公告)号：CN103378153A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210238739.7

申请日：2012-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  张胜杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本公开提供用于集成有电容器的FinFET的结构和方法，其中，半导体结构的一个实施例包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在半导体衬底中。STI部件包括设置在第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在第二区域中并具有大于第一深度的第二厚度T2的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第二部分凹陷。半导体结构还包括：多个鳍式有源区，位于半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在鳍式有源区和STI部件上，其中，一个导电部件覆盖第一区域中的STI部件的第一部分。

公开(公告)号：CN114783950A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210474838.9

申请日：2017-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿米特·孔杜 ,  胡嘉欣 ,  洪照俊

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施例提供了一种电压参考电路，包括：第一多个n型场效应晶体管，其中每个n型场效应晶体管具有第一阈值电压并且包括具有n型掺杂剂的第一功函层材料的第一栅叠件；第二多个n型场效应晶体管，其中每个n型场效应晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，每个n型场效应晶体管包括第二栅叠件，其中，第二栅叠件包括第一功函层材料和具有p型掺杂剂的第二功函层材料；和第二功函层材料在第一功函层材料之下；以及第一多个n型场效应晶体管或第二多个n型场效应晶体管的端子被配置为产生响应于温度升高而幅度减小的输出电压。本发明的实施例还提供了一种电路及其对应的半导体结构。