公开(公告)号：CN103915486B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310684897.X

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范学实 ,  张胜杰 ,  胡嘉欣 ,  梁铭彰 ,  吴显扬 ,  谢文兴 ,  黄靖方

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。

公开(公告)号：CN103915486A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310684897.X

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范学实 ,  张胜杰 ,  胡嘉欣 ,  梁铭彰 ,  吴显扬 ,  谢文兴 ,  黄靖方

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。

公开(公告)号：CN107180821A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611007441.X

申请日：2016-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  范学实 ,  黄焕宗

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/2053 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/535 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66166 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本揭露提供一种半导体元件，包含鳍、多个磊晶生长区，以及至少二接触点。鳍自基板向外延伸，且包含半导体材料。磊晶生长区沿着鳍的上表面配置，其中在鳍的上表面，磊晶生长区与不具有磊晶材料的多个区域交替排列。接触点配置于与鳍电接触，其中接触点之间的电阻值至少部分取决于磊晶生长区的排列。