公开(公告)号：CN114783950A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210474838.9

申请日：2017-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿米特·孔杜 ,  胡嘉欣 ,  洪照俊

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的实施例提供了一种电压参考电路，包括：第一多个n型场效应晶体管，其中每个n型场效应晶体管具有第一阈值电压并且包括具有n型掺杂剂的第一功函层材料的第一栅叠件；第二多个n型场效应晶体管，其中每个n型场效应晶体管具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，每个n型场效应晶体管包括第二栅叠件，其中，第二栅叠件包括第一功函层材料和具有p型掺杂剂的第二功函层材料；和第二功函层材料在第一功函层材料之下；以及第一多个n型场效应晶体管或第二多个n型场效应晶体管的端子被配置为产生响应于温度升高而幅度减小的输出电压。本发明的实施例还提供了一种电路及其对应的半导体结构。

公开(公告)号：CN108122848A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710984961.4

申请日：2017-10-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿米特·孔杜 ,  胡嘉欣 ,  洪照俊

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  G05F1/56 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明的实施例总体涉及集成电路，更具体地，涉及低偏置电压参考电路。所述电压参考电路能提供高精度和对温度不敏感的输出。具体的，本发明提供了具有低工艺变化和可调温度系数的与绝对温度互补的电路。本发明的实施例还提供了一种形成用于温度互补电路的FinFET的方法。

公开(公告)号：CN103970924A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310178036.4

申请日：2013-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿米特·孔杜 ,  洪照俊 ,  彭永州 ,  杨世丞 ,  林忠凯

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G06F17/5072 ,  G06F2217/10 ,  G06F2217/78 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供了一种用于设计集成电路并且预测金属氧化物半导体(MOS)阵列中的电流失配的系统和方法。选择MOS阵列中的第一单元子集并且对于这些单元中的每个单元测量电流。确定用于第一单元子集中的每个单元的电流相对于参考单元的电流的标准差。可以使用用于第一子集中的一个或多个单元的电流的被确定的标准差来确定局部变化的标准差。然后，可以确定在阵列的x和/或y方向上由例如多晶硅密度梯度效应所导致的变化的标准差，并且通过其确定用于阵列中的任何单元的电流失配。本发明还提供了用于预测金属氧化物半导体阵列中的电流失配的分析模型。

公开(公告)号：CN103970924B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201310178036.4

申请日：2013-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 阿米特·孔杜 ,  洪照俊 ,  彭永州 ,  杨世丞 ,  林忠凯

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种用于设计集成电路并且预测金属氧化物半导体(MOS)阵列中的电流失配的系统和方法。选择MOS阵列中的第一单元子集并且对于这些单元中的每个单元测量电流。确定用于第一单元子集中的每个单元的电流相对于参考单元的电流的标准差。可以使用用于第一子集中的一个或多个单元的电流的被确定的标准差来确定局部变化的标准差。然后，可以确定在阵列的x和/或y方向上由例如多晶硅密度梯度效应所导致的变化的标准差，并且通过其确定用于阵列中的任何单元的电流失配。本发明还提供了用于预测金属氧化物半导体阵列中的电流失配的分析模型。

公开(公告)号：CN106249804B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201610194764.8

申请日：2016-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪照俊 ,  阿米特·孔杜

IPC: G05F3/26

CPC classification number: G05F3/245

Abstract: 本发明的实施例提供一种电路，包括第一晶体管、第二晶体管、电阻器件和放大器。第一晶体管包括第一漏极和第一栅极。第一晶体管包括第二漏极和第二栅极。电阻器件连接在第一栅极与第二栅极之间。放大器包括连接至第一漏极的第一输入端和连接至第二漏极的第二输入端。放大器被配置为将第一漏极处的电压电平与第二漏极处的电压电平保持为彼此相等。

公开(公告)号：CN106249804A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610194764.8

申请日：2016-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪照俊 ,  阿米特·孔杜

IPC: G05F3/26

CPC classification number: G05F3/245 ,  G05F3/262

Abstract: 本发明的实施例提供一种电路，包括第一晶体管、第二晶体管、电阻器件和放大器。第一晶体管包括第一漏极和第一栅极。第一晶体管包括第二漏极和第二栅极。电阻器件连接在第一栅极与第二栅极之间。放大器包括连接至第一漏极的第一输入端和连接至第二漏极的第二输入端。放大器被配置为将第一漏极处的电压电平与第二漏极处的电压电平保持为彼此相等。