公开(公告)号：CN106997892B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201610920772.6

申请日：2016-10-21

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 车光民 ,  杨受京 ,  杨灿佑

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/47635 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/3258 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/77 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L2227/323

Abstract: 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。根据一示例性实施方式，一种显示装置包括：基板；栅电极，设置在基板上；半导体图案，设置在栅电极上；数据布线，设置在半导体图案上并且具有数据线、源电极和漏电极；第一阻挡层，设置在数据布线和半导体图案之间；以及底切，设置在第一阻挡层的每段的至少一侧上。

公开(公告)号：CN109686753A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201710971308.4

申请日：2017-10-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林进富 ,  邱崇益

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78684 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含有一基底，该基底上定义有一存储器区以及一晶体管区，一绝缘层位于该基底上，一2D材料层，位于该绝缘层上，且同时位于该存储器区以及该晶体管区内，其中该晶体管区内的部分该2D材料层为一晶体管结构的一通道区，其中该晶体管结构位于该晶体管区内的该通道区上，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)位于该存储器区内，该RRAM包含一下电极层、一电阻转换层与一上电极层依序位于该2D材料层上并电连接于该通道区。

公开(公告)号：CN109417037A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040595.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 谷川幸登 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C01G55/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L29/24 ,  C01G55/00 ,  C01G55/002 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/70 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/02 ,  H01L33/26 ,  H01L35/22

Abstract: 本申请提供了具有良好的p-型半导体特性的新型且有用的氧化物半导体膜，以及制造该氧化物半导体膜的方法。根据本发明，通过使包含周期表第9族金属(铑、铱或钴等)和/或周期表第13族金属(铟、铝或镓等)以及p-型掺杂剂(镁等)的原料溶液雾化形成喷雾；随后，利用载气将喷雾运载至基材表面附近；之后在氧气气氛下在基材表面附近通过使喷雾发生热反应，在该基材上形成氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN109326651A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810994244.4

申请日：2018-08-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 沈志豪 ,  赵剑飞 ,  江斌 ,  王伟

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明公开了一种双栅结构黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、二氧化硅隔离层、硅材料衬底、源极、漏极和第一栅极，所述的导电沟道、源区和漏区为黑磷材料，栅极氧化层在所述导电沟道、源区和漏区上方，第一栅极设置在导电沟道上方栅极氧化层的外表面，在漏区上方栅极氧化层的外表面上设置第二栅极。本发明能够在降低闭态电流，消除短沟道效应的同时，维持较大的导通电流，在未来纳米电子应用领域有着广阔的前景。

公开(公告)号：CN105629598B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201610141337.3

申请日：2016-03-11

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 葛世民

IPC: G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种FFS模式的阵列基板及制作方法，该FFS模式的阵列基板包括基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；第二绝缘层，其沉积于所述基层上，该第二绝缘层上形成有将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；像素电极层，其沉积于所述第二绝缘层上，所述像素电极层上设置有像素电极；源极以及漏极，该源极以及漏极设置于所述像素电极层之上；第三绝缘层，其设置于源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上。本发明具有缩短工艺流程、减少光罩次数的有益效果。

公开(公告)号：CN108886021A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022719.7

申请日：2017-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

公开(公告)号：CN105734493B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610250248.2

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥正弘 ,  广桥拓也 ,  津吹将志 ,  石原典隆 ,  太田将志

IPC: C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C23C14/086 ,  G01N23/207 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。

公开(公告)号：CN108780757A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018390.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为-1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN108735762A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710272129.1

申请日：2017-04-24

Applicant: 瀚宇彩晶股份有限公司

Inventor： 刘轩辰 ,  张崇霖

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F2201/121 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种画素结构，包括一第一基板，一薄膜晶体管，一第二绝缘层，一第一透明导电层以及一第二基板。该薄膜晶体管包括一栅极电极，一半导体主动层，一第一绝缘层以及一电极层。该栅极电极形成于该基板上。该半导体主动层形成于该栅极电极上。该第一绝缘层位于该半导体主动层与该栅极电极之间。该电极层包括一源极电极以及一漏极电极，该源极电极与该漏极电极均覆盖于该半导体主动层的部份区域。该第二绝缘层覆盖于该薄膜晶体管。该第一透明导电层，形成于该第二绝缘层上。其中该第一透明导电层沿该半导体主动层的边缘形成有一开口。本发明画素结构可以降低透明导电层与薄膜晶体管之间的感应电流，进而减少薄膜晶体管在关闭时的漏电流。

公开(公告)号：CN108493255A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810159396.2

申请日：2018-02-26

Applicant: 上海电力学院

Inventor： 汤乃云 ,  王倩倩 ,  单亚兵 ,  杜琛 ,  徐浩然

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及一种电场可控的二维材料肖特基二极管，包括衬底层，衬底层自下而上依次设置金属层、高介电常数材料层和单层二维半导体材料层，单层二维半导体材料层的两端分别设置金属电极A和金属电极B，单层二维半导体材料层的上部部分区域设置多层二维半导体材料层，多层二维半导体材料层与金属电极B接触。与现有技术相比，本发明肖特基二极管节省单元器件的占有空间，有利于器件高密度发展；利用外加电场诱导铁电材料极化电场激发大量载流子从而促使二维材料相变，诱导相变方法简单、可控、成本低；施加外加电场时，单层二维材料发生半导体到金属相变，实现金属电极与单层二维半导体材料的接触转变为欧姆接触，降低肖特基二极管寄生电阻。