公开(公告)号：CN107017244B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201610664839.4

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  谢仲朋 ,  杨忠杰 ,  陈柏年 ,  锺怡萱 ,  林峪群

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开的一些实施例提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置于基底上的虚设鳍状结构，设置于一部分虚设鳍状结构上的虚设栅极结构，虚设栅极结构嵌入于其中的第一层间介电层，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第二层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与虚设栅极结构重叠。

公开(公告)号：CN107017244A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610664839.4

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡嘉欣 ,  谢仲朋 ,  杨忠杰 ,  陈柏年 ,  锺怡萱 ,  林峪群

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置于基底上的虚设鳍状结构，设置于一部分虚设鳍状结构上的虚设栅极结构，虚设栅极结构嵌入于其中的第一层间介电层，设置于第一层间介电层上的第二层间介电层，以及由导电材料形成且嵌入于第二层间介电层的电阻导线。在平面图中，电阻导线与虚设栅极结构重叠。