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公开(公告)号：CN103378153B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210238739.7
申请日：2012-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L28/40 , H01L29/0653 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 本公开提供用于集成有电容器的FinFET的结构和方法，其中，半导体结构的一个实施例包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在半导体衬底中。STI部件包括设置在第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在第二区域中并具有大于第一深度的第二厚度T2的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第二部分凹陷。半导体结构还包括：多个鳍式有源区，位于半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在鳍式有源区和STI部件上，其中，一个导电部件覆盖第一区域中的STI部件的第一部分。
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公开(公告)号：CN105679755B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201410655989.X
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/761
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L21/26513 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0207 , H01L27/0251 , H01L27/0886 , H01L29/0646 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了电路器件。电路器件包括核心电路。该电路器件还包括具有第一掺杂剂类型的第一组保护环，第一组保护环围绕在核心电路的外围，第一组保护环包括第一保护环和第二保护环。该电路器件还包括具有第二掺杂剂类型的第二组保护环，第二掺杂剂类型与第一掺杂剂类型相反，其中，第二组保护环的至少一个保护环围绕在第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。
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公开(公告)号：CN103915486A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310684897.X
申请日：2013-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/41 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/0257 , H01L21/26513 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0924 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/201 , H01L29/66136 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。
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公开(公告)号：CN103489863A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310046641.6
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L27/0664 , H01L27/0814 , H01L29/861
Abstract: 通过利用鳍式场效应晶体管(FinFET)形成工艺中的各个工艺步骤，在包括FinFET的IC器件中形成二极管和双极结型晶体管(BJT)。二极管或BJT包括隔离鳍区域和鳍阵列区域，具有不同深度的n阱和位于鳍阵列区域的一部分中并围绕隔离鳍区域中的n阱的p阱。与FinFET的n阱和p阱一起注入二极管和BJT的n阱和p阱。本发明提供了采用鳍式场效应晶体管工艺的同质结二极管结构。
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公开(公告)号：CN103378153A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210238739.7
申请日：2012-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L28/40 , H01L29/0653 , H01L29/66795 , H01L29/7851
Abstract: 本公开提供用于集成有电容器的FinFET的结构和方法，其中，半导体结构的一个实施例包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在半导体衬底中。STI部件包括设置在第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在第二区域中并具有大于第一深度的第二厚度T2的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第二部分凹陷。半导体结构还包括：多个鳍式有源区，位于半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在鳍式有源区和STI部件上，其中，一个导电部件覆盖第一区域中的STI部件的第一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104766886B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410266062.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L27/0886 , H01L29/1041 , H01L29/36 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/7842 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。在实施例中，在衬底中形成沟槽，其中，邻近沟槽之间的区域限定了鳍。在沟槽中形成介电材料。掺杂衬底的一部分且形成高掺杂剂浓度的区域和低掺杂剂浓度的区域。形成栅极堆叠，去除鳍的部分且源极/漏极区域在高/低掺杂剂浓度的区域中外延生长。形成接触件以提供至源极/栅极/漏极区域的电连接。
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公开(公告)号：CN103247535B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210270537.0
申请日：2012-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/0228 , H01L21/02299 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/0847 , H01L29/7847 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7853
Abstract: 本发明公开了一种用于对FinFET执行应力记忆技术(SMT)的方法和具有包括多平面位错的记忆应变效果的FinFET。示例性实施例包括：接收FinFET前体，FinFET前体具有衬底、衬底上的鳍状件结构、鳍状件结构之间的隔离区、以及鳍状件结构的一部分之上的栅极堆叠件。栅极堆叠件使鳍状件结构的源极区与鳍状件结构的漏极区分离并且在两者之间创建栅极区。实施例还包括：在鳍状件结构、隔离区、以及栅极堆叠件中的每个的至少一部分之上形成应力记忆技术(SMT)保护层，通过注入能量掺杂物质，对FinFET前体执行退火工艺，并且去除SMT保护层，对FinFET前体执行预非晶化注入。本发明还提供了一种用于FINFET器件的位错SMT。
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公开(公告)号：CN103247535A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210270537.0
申请日：2012-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/0228 , H01L21/02299 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L29/0847 , H01L29/7847 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7853
Abstract: 本发明公开了一种用于对FinFET执行应力记忆技术(SMT)的方法和具有包括多平面位错的记忆应变效果的FinFET。示例性实施例包括：接收FinFET前体，FinFET前体具有衬底、衬底上的鳍状件结构、鳍状件结构之间的隔离区、以及鳍状件结构的一部分之上的栅极堆叠件。栅极堆叠件使鳍状件结构的源极区与鳍状件结构的漏极区分离并且在两者之间创建栅极区。实施例还包括：在鳍状件结构、隔离区、以及栅极堆叠件中的每个的至少一部分之上形成应力记忆技术(SMT)保护层，通过注入能量掺杂物质，对FinFET前体执行退火工艺，并且去除SMT保护层，对FinFET前体执行预非晶化注入。本发明还提供了一种用于FINFET器件的位错SMT。
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公开(公告)号：CN103915486B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310684897.X
申请日：2013-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/41 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/0257 , H01L21/26513 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0924 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/201 , H01L29/66136 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。
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公开(公告)号：CN105679755A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410655989.X
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/761
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L21/26513 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0207 , H01L27/0251 , H01L27/0886 , H01L29/0646 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了电路器件。电路器件包括核心电路。该电路器件还包括具有第一掺杂剂类型的第一组保护环，第一组保护环围绕在核心电路的外围，第一组保护环包括第一保护环和第二保护环。该电路器件还包括具有第二掺杂剂类型的第二组保护环，第二掺杂剂类型与第一掺杂剂类型相反，其中，第二组保护环的至少一个保护环围绕在第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。
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