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发明公开
半导体装置与其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118841371A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410715591.4

申请日：2024-06-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈钰升 , 黄如立 , 王淑慧 , 叶震亚

IPC: H01L21/8238 , H01L27/092

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置与其制造方法。半导体装置的制造方法包括形成悬空的纳米结构的第一堆叠于第一区中，形成悬空的纳米结构的第二堆叠于第二区中，以及悬空的纳米结构的第三堆叠于第三区中；沉积第一功函数层以包覆第一区、第二区、与第三区中的纳米结构；自第一区与第二区移除第一功函数层；沉积第二功函数层以包覆第一区与第二区中的纳米结构，并位于第三区中的第一功函数层上；自第一区移除第二功函数层；沉积第三功函数层以包覆第一区中的纳米结构，并位于第二区与第三区中的第二功函数层上；以及形成盖层于第一区、第二区、与第三区中的第三功函数层上。

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