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1.

发明公开
形成半导体结构的方法无效

公开(公告)号：CN110416159A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201811390946.8

申请日：2018-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄如立 , 江欣哲 , 曾主元 , 徐维澤 , 陈岳毅 , 王淑慧 , 张世勳

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤。移除形成在第一鳍片及第二鳍片上的虚设栅极结构，形成第一沟槽，暴露第一鳍片的一部分，与形成第二沟槽，暴露第二鳍片的一部分，以及形成界面层。形成包括镧及氧的第一高k介电层，在第一沟槽及第二沟槽中的界面层上。移除该第二沟槽中的第一高k介电层。形成自组装单层，在第一沟槽中的第一高k介电层上。形成第二高k介电层，在第一沟槽中的含磷酸盐单层之上与在第二沟槽中的界面层上。形成功函数金属层，在第一沟槽及第二沟槽中。形成体导电层，在第一沟槽及第二沟槽中的功函数金属层之上。

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