公开(公告)号：CN110610989A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201811183706.0

申请日：2018-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢仁祥 ,  蔡宗翰 ,  张世勳

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 一种半导体结构形成方法包含：提供一半导体层；于半导体层上方形成介面层；于介面层上方沉积高介电常数介电层；于高介电常数介电层上方形成虚设栅电极；图案化虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层，使得虚设栅电极的宽度小于高介电常数介电层的宽度；沿着虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层的侧壁形成间隔物；形成多个源极/漏极特征；以及以金属栅电极取代虚设栅电极以形成高介电常数金属栅极结构。

公开(公告)号：CN110416291B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201810811790.X

申请日：2018-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦瑜 ,  吕玉琦 ,  曹志彬 ,  张世勳

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法。此方法包括下述操作。沉积介电层于基材上方。然后，沉积第一功函数金属层于介电层上方。接着，沉积虚设层于第一功函数金属层上方。然后，将杂质导入至第一功函数金属层中。之后，蚀刻虚设层。接下来，沉积第二功函数金属层于第一功函数金属层上方。

公开(公告)号：CN110416291A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810811790.X

申请日：2018-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦瑜 ,  吕玉琦 ,  曹志彬 ,  张世勳

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种具有功函数金属堆叠的装置的制造方法。此方法包括下述操作。沉积介电层于基材上方。然后，沉积第一功函数金属层于介电层上方。接着，沉积虚设层于第一功函数金属层上方。然后，将杂质导入至第一功函数金属层中。之后，蚀刻虚设层。接下来，沉积第二功函数金属层于第一功函数金属层上方。

公开(公告)号：CN110610989B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201811183706.0

申请日：2018-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢仁祥 ,  蔡宗翰 ,  张世勳

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 一种半导体结构形成方法及半导体结构，半导体结构形成方法包含：提供一半导体层；于半导体层上方形成介面层；于介面层上方沉积高介电常数介电层；于高介电常数介电层上方形成虚设栅电极；图案化虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层，使得介面层的宽度大于高介电常数介电层的宽度；沿着虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层的侧壁形成间隔物；形成多个源极/漏极特征；以金属栅电极取代虚设栅电极以形成高介电常数金属栅极结构；于沉积高介电常数介电层之后以及形成虚设栅电极之前，于高介电常数介电层上方沉积覆盖层；于氮气环境中对覆盖层执行尖波退火过程；以及于取代虚设栅电极之前移除覆盖层。

公开(公告)号：CN110416159A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201811390946.8

申请日：2018-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄如立 ,  江欣哲 ,  曾主元 ,  徐维澤 ,  陈岳毅 ,  王淑慧 ,  张世勳

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤。移除形成在第一鳍片及第二鳍片上的虚设栅极结构，形成第一沟槽，暴露第一鳍片的一部分，与形成第二沟槽，暴露第二鳍片的一部分，以及形成界面层。形成包括镧及氧的第一高k介电层，在第一沟槽及第二沟槽中的界面层上。移除该第二沟槽中的第一高k介电层。形成自组装单层，在第一沟槽中的第一高k介电层上。形成第二高k介电层，在第一沟槽中的含磷酸盐单层之上与在第二沟槽中的界面层上。形成功函数金属层，在第一沟槽及第二沟槽中。形成体导电层，在第一沟槽及第二沟槽中的功函数金属层之上。