公开(公告)号：CN106935551B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201610663488.5

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李勃学 ,  叶志扬 ,  黄渊圣 ,  叶冠麟 ,  萧君展

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，在基底上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构上形成第一绝缘层，移除虚设栅极结构以在第一绝缘层内形成栅极空间，在栅极空间内形成第一导电层以形成缩小的栅极空间，将与第一导电层不同材料制成的第二导电层填入缩小的栅极空间，将填入的第一导电层和第二导电层凹陷以形成第一栅极凹陷，在第一栅极凹陷内的第一导电层和第二导电层上形成第三导电层，在将填入的第一导电层和第二导电层凹陷之后，第二导电层自第一导电层突出。

公开(公告)号：CN102983105A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210057487.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  张启新 ,  杨仁盛 ,  林大为 ,  罗仕豪 ,  叶志扬 ,  林慧雯 ,  高荣辉 ,  涂元添 ,  林焕哲 ,  彭治棠 ,  郑培仁 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。

公开(公告)号：CN109860297A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811339371.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江欣哲 ,  曾主元 ,  梁春昇 ,  叶志扬 ,  王淑慧 ,  叶震亚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

Abstract: 一种半导体元件包括基板、栅极堆叠。基板包括半导体鳍。栅极堆叠设置在半导体鳍上。栅极堆叠包括设置在半导体鳍上方的介电层、及设置在介电层上方并且具有第一金属层及在第一金属层上方的第二金属层的金属堆叠、以及设置在金属堆叠上方的栅电极。第一金属层及第二金属层具有第一元素，并且第一元素在第一金属层中的百分比高于在第二金属层中。

公开(公告)号：CN101604615A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200810168351.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  张尚文 ,  叶志扬

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/00 ,  C03C15/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/16 ,  C23F1/32

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/06 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻超薄膜的方法，其步骤为提供衬底，其上有超薄膜；形成光敏层在超薄膜上；图形化光敏层；依照光敏层的图形蚀刻超薄膜；以及移除图形化的光敏层。蚀刻工艺中利用具有抗扩散性质的蚀刻液，以防止蚀刻液中的蚀刻剂扩散至光敏层下面的区域而蚀刻光敏层下面的部分超薄膜。

公开(公告)号：CN106935551A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610663488.5

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李勃学 ,  叶志扬 ,  黄渊圣 ,  叶冠麟 ,  萧君展

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0924

Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，在基底上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构上形成第一绝缘层，移除虚设栅极结构以在第一绝缘层内形成栅极空间，在栅极空间内形成第一导电层以形成缩小的栅极空间，将与第一导电层不同材料制成的第二导电层填入缩小的栅极空间，将填入的第一导电层和第二导电层凹陷以形成第一栅极凹陷，在第一栅极凹陷内的第一导电层和第二导电层上形成第三导电层，在将填入的第一导电层和第二导电层凹陷之后，第二导电层自第一导电层突出。

公开(公告)号：CN102983105B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210057487.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  张启新 ,  杨仁盛 ,  林大为 ,  罗仕豪 ,  叶志扬 ,  林慧雯 ,  高荣辉 ,  涂元添 ,  林焕哲 ,  彭治棠 ,  郑培仁 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。

公开(公告)号：CN101604615B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200810168351.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  张尚文 ,  叶志扬

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/00 ,  C03C15/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/14 ,  C23F1/16 ,  C23F1/32

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  C09K13/06 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻超薄膜的方法，其步骤为提供衬底，其上有超薄膜；形成光敏层在超薄膜上；图形化光敏层；依照光敏层的图形蚀刻超薄膜；以及移除图形化的光敏层。蚀刻工艺中利用具有抗扩散性质的蚀刻液，以防止蚀刻液中的蚀刻剂扩散至光敏层下面的区域而蚀刻光敏层下面的部分超薄膜。