公开(公告)号：CN106935551A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610663488.5

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李勃学 ,  叶志扬 ,  黄渊圣 ,  叶冠麟 ,  萧君展

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0924

Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，在基底上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构上形成第一绝缘层，移除虚设栅极结构以在第一绝缘层内形成栅极空间，在栅极空间内形成第一导电层以形成缩小的栅极空间，将与第一导电层不同材料制成的第二导电层填入缩小的栅极空间，将填入的第一导电层和第二导电层凹陷以形成第一栅极凹陷，在第一栅极凹陷内的第一导电层和第二导电层上形成第三导电层，在将填入的第一导电层和第二导电层凹陷之后，第二导电层自第一导电层突出。

公开(公告)号：CN114220771A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202110891200.0

申请日：2021-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘邦轩 ,  叶冠麟 ,  梁春昇 ,  江欣哲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在包含半导体鳍片结构的上方表面与侧边表面上方形成第一介电层。在设置于鳍片结构的上方表面上方的第一介电层的第一部分上形成遮罩层。遮罩层与第一介电层具有不同的材料组成。蚀刻设置于鳍片结构的侧边表面上的第一介电层的第二部分。遮罩层保护第一介电层的第一部分免受蚀刻。于遮罩层上方及鳍片结构的侧边表面上形成第二介电层。执行氧化制程以将遮罩层转换为介电材料，介电材料具有与第一介电层或第二介电层实质上相同的材料组成。介电材料与第一或第二介电层的剩余部分共同作为晶体管的栅极介电质。

公开(公告)号：CN106935551B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201610663488.5

申请日：2016-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李勃学 ,  叶志扬 ,  黄渊圣 ,  叶冠麟 ,  萧君展

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，在基底上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构上形成第一绝缘层，移除虚设栅极结构以在第一绝缘层内形成栅极空间，在栅极空间内形成第一导电层以形成缩小的栅极空间，将与第一导电层不同材料制成的第二导电层填入缩小的栅极空间，将填入的第一导电层和第二导电层凹陷以形成第一栅极凹陷，在第一栅极凹陷内的第一导电层和第二导电层上形成第三导电层，在将填入的第一导电层和第二导电层凹陷之后，第二导电层自第一导电层突出。

公开(公告)号：CN113990869A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202110894963.0

申请日：2021-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大钧 ,  叶冠麟 ,  林俊仁 ,  潘国华 ,  江木吉 ,  廖忠志

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供一种半导体装置。设置第一源极/漏极结构于基板上方。设置第二源极/漏极结构于基板上方。隔离结构设置于第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构之间。第一源极/漏极结构与隔离结构的第一侧壁形成实质上线性的第一界面。第二源极/漏极结构与隔离结构的第二侧壁形成实质上线性的第二界面。第一源极/漏极接触件在多个方向围绕第一源极/漏极结构。第二源极/漏极接触件在多个方向围绕第二源极/漏极结构。隔离结构设置于第一源极/漏极接触件以及第二源极/漏极接触件之间。

公开(公告)号：CN113594160A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110733956.2

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大钧 ,  叶冠麟 ,  林俊仁 ,  潘国华 ,  江木吉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/11

Abstract: 本公开实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括第一有源区及第二有源区，布设于基板之上。第一源极/漏极部件成长于第一有源区之上。第二源极/漏极部件成长于第二有源区之上。层间电介质(ILD)布设于第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件周围。隔离结构垂直延伸穿越ILD。隔离结构分离第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件。