公开(公告)号：CN112530872A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010977926.1

申请日：2020-09-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江欣哲 ,  高伟智 ,  梁春昇 ,  潘国华

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 半导体装置的制造方法，包括：提供半导体基板；从半导体基板的顶表面外延成长阻挡层，其中阻挡层具有与半导体基板不同的晶格常数；于阻挡层之上外延成长半导体层；图案化半导体层以形成半导体鳍片，其中阻挡层位于半导体鳍片之下；形成接触半导体鳍片的源极/漏极部件；以及形成齿合半导体鳍片的栅极结构。

公开(公告)号：CN112447596A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010896551.6

申请日：2020-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高伟智 ,  江欣哲 ,  简妤珊 ,  梁春昇 ,  潘国华

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置结构的制造方法，包括：在一鳍片结构的曝露表面上形成半导体衬垫层，上述鳍片结构延伸至设置于基板上的介电隔离结构上方；形成第一覆盖层以横向地围绕半导体衬垫层的底部部分；在半导体衬垫层的上方部分上形成第二覆盖层；以及退火其上具有半导体衬垫层、第一覆盖层、以及第二覆盖层的上述鳍片结构，上述退火将一掺杂物自半导体衬垫层驱使入上述鳍片结构，其中上述鳍片结构的底部部分中的掺杂浓度曲线，不同于上述鳍片结构的上方部分中的掺杂浓度曲线。

公开(公告)号：CN114914200A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210202496.5

申请日：2022-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高伟智 ,  江欣哲 ,  梁春昇 ,  潘国华

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体装置。所述的虚设鳍片包括低介电常数(低k或LK)材料外壳。由于在低k材料外壳中形成的空隙中填充有高介电常数(高k或HK)材料内核，否则会产生漏电流路径。这提高虚设鳍片提供电性隔离的有效性并且提高包括虚设鳍片的半导体装置的装置性能。此外，本公开所述的虚设鳍片可能不会遭受在其他类型的虚设鳍片中经历的弯曲问题，否则可能导致高k感应交流电流(AC)性能劣化。用于形成本公开所述的虚设鳍片的工艺与其他鳍式场效晶体管(finFET)的形成工艺相容，并且易于集成化以最小化及/或防止研磨问题、回蚀问题及/或其他类型的半导体工艺问题。

公开(公告)号：CN110957321A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910188649.3

申请日：2019-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡振国 ,  廖建舜 ,  高伟智

IPC: H01L27/108

Abstract: 在一些实施例中，一种半导体元件包括基板、在基板上的电荷储存元件，及在基板上邻接电荷储存元件的穿隧二极管。穿隧二极管包括在基板上的穿隧二极管介电层，及在穿隧二极管介电层上的穿隧二极管电极。基板电极安置于基板的掺杂区域上，且穿隧二极管电极位于电荷储存元件及基板电极之间。