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公开(公告)号：CN109326562A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201711339828.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种金属栅极结构以及包括实施金属栅极切割工艺的相关方法。金属栅极切割工艺包括多个蚀刻步骤。例如，实施第一各向异性干刻蚀，实施第二各向同性干刻蚀，并且实施第三湿刻蚀。在一些实施例中，第二各向同性蚀刻去除包括含金属层的金属栅极层的残留部分。在一些实施例中，第三蚀刻去除介电层的残留部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110838488B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910747774.3
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，该方法包括：形成栅极介电层于界面层上；形成掺杂层于栅极介电层上，且掺杂层包括偶极诱发元素；退火掺杂层以驱使偶极诱发元素穿过栅极介电层至栅极介电层与界面层相邻的第一侧；移除掺杂层；形成牺牲层于栅极介电层上，与栅极介电层跟牺牲层相邻的第二侧的残留的偶极诱发元素与牺牲层的材料反应；移除牺牲层；形成盖层于栅极介电层上；以及形成栅极层于盖层上。
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公开(公告)号：CN109585293B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201810875547.4
申请日：2018-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 方法包括形成栅极堆叠件，栅极堆叠件包括：位于第一半导体鳍的部分上方的第一部分，位于第二半导体鳍的部分上方的第二部分，以及将第一部分连接至第二部分的第三部分。对栅极堆叠件的第三部分实施各向异性蚀刻以在第一部分和第二部分之间形成开口。在各向异性蚀刻之后，第三部分的基脚部分保留。该方法还包括实施各向同性蚀刻以去除基脚部分的金属栅极部分，以及用介电材料填充开口。本发明的实施例还涉及切割金属工艺中的基脚去除。
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公开(公告)号：CN116959978A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310728181.9
申请日：2023-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 公开了一种半导体装置的制造方法，包括：提供至少两个结构，每个结构上具有金属层；在第一结构上方的金属层上方形成图案化光刻(photolithographic)层；通过使用能防止渗透(resistant to penetration)到光刻层中的化学蚀刻剂进行湿式蚀刻操作以从第二结构去除金属层；以及，在进行湿式蚀刻操作之后，实现小于179且大于1的距离X对距离Y的剩余金属比例，其中距离X是从第一直线到第二直线的第一距离，第一直线延伸自第一半导体装置上方剩余的金属层的边缘，第二直线延伸自第二半导体装置中的通道区的边缘，且距离Y是从第一直线到第三直线的第二距离，第三直线从形成在第一半导体装置中的通道区上方的金属层的边缘延伸。
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公开(公告)号：CN109216198B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201810722271.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例提供了一种在处理期间清洁含镧衬底而不会形成不期望的镧化合物的方法。在一个实施例中，清洁方法包括：在用HF溶液清洁含镧衬底之前，用酸性溶液处理含镧衬底。该清洁方法允许使用掺杂镧的高k介电层以调节栅极堆叠件的有效功函数，因此改进了器件性能。本发明实施例涉及栅极堆叠结构及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112750779A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011162185.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了利用底部抗反射层的处理工艺的半导体器件和方法。该处理工艺可以是物理处理工艺，其中添加材料以填充底部抗反射层的材料内的洞和孔，或者处理工艺可以是化学处理工艺，其中使用化学反应来形成保护层。通过处理底部抗反射层，减少或消除了随后施加的化学物质的扩散，从而有助于防止由这种扩散引起的缺陷。
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公开(公告)号：CN110838488A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910747774.3
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，该方法包括：形成栅极介电层于界面层上；形成掺杂层于栅极介电层上，且掺杂层包括偶极诱发元素；退火掺杂层以驱使偶极诱发元素穿过栅极介电层至栅极介电层与界面层相邻的第一侧；移除掺杂层；形成牺牲层于栅极介电层上，与栅极介电层跟牺牲层相邻的第二侧的残留的偶极诱发元素与牺牲层的材料反应；移除牺牲层；形成盖层于栅极介电层上；以及形成栅极层于盖层上。
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公开(公告)号：CN110224026A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810525377.7
申请日：2018-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本公开实施例提供的湿式工艺辅助方法与其形成的结构，可实施于置换栅极工艺。一般而言，一些例子中用于移除盖层的湿蚀刻工艺可形成第一单层于下方层上以作为粘着层，并形成第二单层于栅极间隔物与鳍状物之间的界面介电层上以作为蚀刻保护机制。一般而言，一些例子中的湿式工艺形成单层于金属层(如阻障层或功函数调整层)上，以作为图案化金属层所用的硬遮罩。
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公开(公告)号：CN112750779B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202011162185.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D84/03
Abstract: 本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了利用底部抗反射层的处理工艺的半导体器件和方法。该处理工艺可以是物理处理工艺，其中添加材料以填充底部抗反射层的材料内的洞和孔，或者处理工艺可以是化学处理工艺，其中使用化学反应来形成保护层。通过处理底部抗反射层，减少或消除了随后施加的化学物质的扩散，从而有助于防止由这种扩散引起的缺陷。
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公开(公告)号：CN109326562B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201711339828.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种金属栅极结构以及包括实施金属栅极切割工艺的相关方法。金属栅极切割工艺包括多个蚀刻步骤。例如，实施第一各向异性干刻蚀，实施第二各向同性干刻蚀，并且实施第三湿刻蚀。在一些实施例中，第二各向同性蚀刻去除包括含金属层的金属栅极层的残留部分。在一些实施例中，第三蚀刻去除介电层的残留部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。
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