公开(公告)号：CN108122993B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201710768125.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯拓宏 ,  潘正圣 ,  刘邦轩

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。包含场效晶体管装置的半导体装置包含基板与在基板上的二维材料所制成的通道结构。多个源极与漏极接触部分地形成于二维材料上。第一介电层至少部分地形成在通道结构上且至少部分地形成在源极与漏极接触上。第一介电层用以捕获多个电荷载子。第二介电层形成于第一介电层上，且栅极电极形成于第二介电层上。

公开(公告)号：CN114220771A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202110891200.0

申请日：2021-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘邦轩 ,  叶冠麟 ,  梁春昇 ,  江欣哲

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在包含半导体鳍片结构的上方表面与侧边表面上方形成第一介电层。在设置于鳍片结构的上方表面上方的第一介电层的第一部分上形成遮罩层。遮罩层与第一介电层具有不同的材料组成。蚀刻设置于鳍片结构的侧边表面上的第一介电层的第二部分。遮罩层保护第一介电层的第一部分免受蚀刻。于遮罩层上方及鳍片结构的侧边表面上形成第二介电层。执行氧化制程以将遮罩层转换为介电材料，介电材料具有与第一介电层或第二介电层实质上相同的材料组成。介电材料与第一或第二介电层的剩余部分共同作为晶体管的栅极介电质。

公开(公告)号：CN108122993A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710768125.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯拓宏 ,  潘正圣 ,  刘邦轩

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/045 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。包含场效晶体管装置的半导体装置包含基板与在基板上的二维材料所制成的通道结构。多个源极与漏极接触部分地形成于二维材料上。第一介电层至少部分地形成在通道结构上且至少部分地形成在源极与漏极接触上。第一介电层用以捕获多个电荷载子。第二介电层形成于第一介电层上，且栅极电极形成于第二介电层上。