公开(公告)号：CN103681347B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210580950.7

申请日：2012-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  曾博瑞 ,  简珮珊 ,  曾伟雄

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本方面公开了一种制造鳍式场效应晶体管的方法。制造FinFET器件，首先要接收FinFET前体。该前体包括衬底和衬底上的鳍式结构。沿着前体中的鳍式结构的侧壁可形成侧壁间隔件。对鳍式结构的一部分开槽，以形成将侧壁间隔件作为鳍上部的开槽沟槽。半导体结构外延生长在开槽沟槽中且在开槽沟槽的上方持续生长，以形成外延结构。

公开(公告)号：CN103681670B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210455338.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简珮珊 ,  巫凯雄

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明涉及集成电路制造，更具体而言，涉及金属栅极结构。半导体器件的示例性结构包括：衬底，该衬底包括分离并围绕P型有源区和N型有源区的隔离区；位于P型有源区上方的P型栅极结构中的P型功函数金属层，其中，所述P型功函数金属层包括第一底部和第一侧壁，其中，第一底部包括具有第一厚度的第一金属化合物层；以及位于所述N型有源区上方的N型栅极结构中的N型功函数金属层，其中，N型功函数金属层包括第二底部和第二侧壁，其中第二底部包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二金属化合物层。

公开(公告)号：CN103177951A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210074982.X

申请日：2012-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  简珮珊 ,  李泳达 ,  杨建勋

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体制造方法，该方法包括在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层。ILD层具有由该ILD层的侧壁限定的开口。在该ILD层的侧壁上形成间隔元件。在邻近该间隔元件的开口中形成栅极结构。在实施例中，该侧壁间隔件还用于减小在开口中形成的栅极结构的尺寸(例如，长度)。本发明提供了用于半导体器件的栅极结构。

公开(公告)号：CN103681347A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210580950.7

申请日：2012-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  曾博瑞 ,  简珮珊 ,  曾伟雄

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/66553

Abstract: 本方面公开了一种制造鳍式场效应晶体管的方法。制造FinFET器件，首先要接收FinFET前体。该前体包括衬底和衬底上的鳍式结构。沿着前体中的鳍式结构的侧壁可形成侧壁间隔件。对鳍式结构的一部分开槽，以形成将侧壁间隔件作为鳍上部的开槽沟槽。半导体结构外延生长在开槽沟槽中且在开槽沟槽的上方持续生长，以形成外延结构。

公开(公告)号：CN103325832A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310007898.0

申请日：2013-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  奧野泰利 ,  简珮珊 ,  曾伟雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

Abstract: 提供用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源。栅极应激源包括底面、第一应激源侧壁、以及第二应激源侧壁。在栅极层的第一部分上形成底面。栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上。在栅极层的第二部分上形成第一应激源侧壁。栅极层的第二部分设置在鳍的侧壁上。在栅极层的第三部分上形成第二应激源侧壁。栅极层的第三部分设置在与鳍间隔开的结构的侧壁上。第一应激源侧壁和第二应激源侧壁没有超过鳍的高度。

公开(公告)号：CN103177951B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210074982.X

申请日：2012-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  简珮珊 ,  李泳达 ,  杨建勋

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体制造方法，该方法包括在半导体衬底上形成层间介电(ILD)层。ILD层具有由该ILD层的侧壁限定的开口。在该ILD层的侧壁上形成间隔元件。在邻近该间隔元件的开口中形成栅极结构。在实施例中，该侧壁间隔件还用于减小在开口中形成的栅极结构的尺寸(例如，长度)。本发明提供了用于半导体器件的栅极结构。

公开(公告)号：CN103325832B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310007898.0

申请日：2013-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫凯雄 ,  奧野泰利 ,  简珮珊 ,  曾伟雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/785

Abstract: 提供用于鳍式场效晶体管(FinFET)器件的栅极应激源。栅极应激源包括底面、第一应激源侧壁、以及第二应激源侧壁。在栅极层的第一部分上形成底面。栅极层设置在浅沟槽隔离(STI)区域上。在栅极层的第二部分上形成第一应激源侧壁。栅极层的第二部分设置在鳍的侧壁上。在栅极层的第三部分上形成第二应激源侧壁。栅极层的第三部分设置在与鳍间隔开的结构的侧壁上。第一应激源侧壁和第二应激源侧壁没有超过鳍的高度。

公开(公告)号：CN103681670A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210455338.7

申请日：2012-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简珮珊 ,  巫凯雄

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明涉及集成电路制造，更具体而言，涉及金属栅极结构。半导体器件的示例性结构包括：衬底，该衬底包括分离并围绕P型有源区和N型有源区的隔离区；位于P型有源区上方的P型栅极结构中的P型功函数金属层，其中，所述P型功函数金属层包括第一底部和第一侧壁，其中，第一底部包括具有第一厚度的第一金属化合物层；以及位于所述N型有源区上方的N型栅极结构中的N型功函数金属层，其中，N型功函数金属层包括第二底部和第二侧壁，其中第二底部包括具有小于第一厚度的第二厚度的第二金属化合物层。