公开(公告)号：CN100376019C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200510088590.9

申请日：2005-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠胜

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及/或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶剂，其中此共溶剂包括硅键形成取代基，且此硅键形成取代基的键结能大于硅氢(Si-H)键结能，以通过此硅键形成取代基取代至少一部分的多个硅氢键结。

公开(公告)号：CN1755902A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510088590.9

申请日：2005-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王静亚 ,  曾伟雄 ,  罗冠胜

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及/或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶剂，其中此共溶剂包括硅键形成取代基，且此硅键形成取代基的键结能大于硅氢(Si－H)键结能，以通过此硅键形成取代基取代至少一部分的多个硅氢键结。