激光和太阳探测复合敏感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119063718A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411107256.2

    申请日:2024-08-13

    Abstract: 本发明涉及激光和太阳探测复合敏感器,属于空间通用平台设计领域;包括入射掩膜板、顶层探测器和底层探测器;其中,入射掩膜板、顶层探测器和底层探测器均为水平放置的方形板状结构;顶层探测器放置在底层探测器的上表面;且顶层探测器与底层探测器通过透明硅橡胶粘贴;入射掩膜板设置在顶层探测器的上方;太阳光和激光从上至下穿过入射掩膜板照射在顶层探测器的上表面;通过顶层探测器实现对太阳光的吸收;通过底层探测器实现对激光的吸收;本发明同时实现了对太阳光、连续激光的敏感测量,激光及太阳采用了同一个入射光通道,显著减小体积,降低了重量,到达多能复用测量感知一体化,使得产品同时满足姿态测量及安全感知。

    一种提高双面光刻一致性的方法、系统和存储介质

    公开(公告)号:CN108303857B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201810073945.4

    申请日:2018-01-25

    Abstract: 一种提高双面光刻一致性的方法、系统和存储介质,研制非标的双面曝光机,采用了水平位置调整装置调整和固定工件的位置,减少曝光过程中的移动,引入了接触力的概念,采用接触力可调整的装置,解决了曝光过程中接触力较小的问题,并可使曝光时的接触力可调。本发明降低了双面曝光机使用时工艺重复性误差,改变了单面曝光机单面对准、单面曝光、中途翻转的方式,解决了小尺寸圆柱形光学零件双面光刻一致性较差的问题,使工件上下两面图形的同轴度≤0.03mm,峰峰值不对称度符合产品技术要求。使双面曝光的一致性误差由原来的不小于0.005mm降低到0.003mm以内。可有效提高双面光刻一致性。

    用于复制制造掠入射反射镜片的亚纳米级芯轴及制造工艺

    公开(公告)号:CN110125615B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201910329799.1

    申请日:2019-04-23

    Abstract: 本发明涉及用于复制制造掠入射反射镜片的亚纳米级芯轴及制造工艺,该芯轴由镜片复制段和其两端面的夹头段组成,芯轴上设有盲孔,该盲孔沿芯轴轴线贯穿小端夹头段和镜片复制段,所述芯轴一端夹头段沿芯轴轴线平行的方向设有制造工艺各步骤通用的统一装夹接口,另一端夹头段沿与芯轴轴线垂直的方向设有制造工艺各步骤通用的统一装夹接口。制造工艺包括:根据芯轴双夹头接口及内部结构进行芯轴的粗加工,然后进行高低温处理,其后精密车削,然后超精密车削,然后在芯轴表面镀镍磷合金,然后再次进行超精密车削,然后进行磁流变修形抛光以及手动保形抛光,完成掠入射亚纳米级芯轴的加工。本发明保证了芯轴的亚纳米级表面精度并可提高后续反射镜片脱模的成功率。

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