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公开(公告)号：CN118957529A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410998614.7
申请日：2024-07-24
Applicant: 北京控制工程研究所
Inventor： 武宏宇 , 杨宇 , 李连升 , 梅志武 , 申坤 , 黎月明 , 左富昌 , 赵晓雨 , 郭凯 , 刘亚楠 , 陈冲 , 陈琪 , 高修涛 , 范汉超 , 朱春英 , 左建斌 , 芦冬梅 , 张岩
IPC: C23C14/50
Abstract: 一种X射线多层嵌套金属反射镜芯轴镀膜装置，将原本镀膜机的镀膜工件平面公转的转动方式转换为平面公转加绕芯轴自转的方式，有效提升了镀膜膜层厚度均匀性；在机构方面采用联轴器、扭力限制器以及螺旋伞形锥齿轮等结构，解决了系统转动惯量过大带来的过载问题，使装置长期运行顺畅、平稳、可靠；通过特殊无油、耐高温、自润滑轴承的选用，克服了普通轴承真空高温工况下转动可靠性问题；在装卡方面，设计了长度可调、直径可变的装卡机构，以适应多种规格的芯轴镀膜，达到简化装置结构的目的，有效减少了工装种类、降低了使用成本。
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公开(公告)号：CN108303857B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201810073945.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 北京控制工程研究所
Abstract: 一种提高双面光刻一致性的方法、系统和存储介质，研制非标的双面曝光机，采用了水平位置调整装置调整和固定工件的位置，减少曝光过程中的移动，引入了接触力的概念，采用接触力可调整的装置，解决了曝光过程中接触力较小的问题，并可使曝光时的接触力可调。本发明降低了双面曝光机使用时工艺重复性误差，改变了单面曝光机单面对准、单面曝光、中途翻转的方式，解决了小尺寸圆柱形光学零件双面光刻一致性较差的问题，使工件上下两面图形的同轴度≤0.03mm，峰峰值不对称度符合产品技术要求。使双面曝光的一致性误差由原来的不小于0.005mm降低到0.003mm以内。可有效提高双面光刻一致性。
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公开(公告)号：CN105047595B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510259676.7
申请日：2015-05-20
Applicant: 北京控制工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种针对无定位标记的玻璃基片的光刻对准装置及对准方法。针对基片的形状设计专用的定位工装和配套的第一掩膜版、第二掩膜版；通过第一掩膜版在定位工装光刻标记；通过该标记实现第二掩膜版的定位，通过第二掩膜版的狭缝在玻璃基片上光刻狭缝。玻璃基片上的狭缝精度满足实际光刻的狭缝的中心线与半圆柱母线的距离偏差≤3μm。定位准确，且不在玻璃基片表面形成任何破坏性的标记，使基片的有效使用面积最大化。
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公开(公告)号：CN108303857A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810073945.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 北京控制工程研究所
Abstract: 一种提高双面光刻一致性的方法、系统和存储介质，研制非标的双面曝光机，采用了水平位置调整装置调整和固定工件的位置，减少曝光过程中的移动，引入了接触力的概念，采用接触力可调整的装置，解决了曝光过程中接触力较小的问题，并可使曝光时的接触力可调。本发明降低了双面曝光机使用时工艺重复性误差，改变了单面曝光机单面对准、单面曝光、中途翻转的方式，解决了小尺寸圆柱形光学零件双面光刻一致性较差的问题，使工件上下两面图形的同轴度≤0.03mm，峰峰值不对称度符合产品技术要求。使双面曝光的一致性误差由原来的不小于0.005mm降低到0.003mm以内。可有效提高双面光刻一致性。
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公开(公告)号：CN105047595A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510259676.7
申请日：2015-05-20
Applicant: 北京控制工程研究所
CPC classification number: H01L21/682 , H01L21/67282
Abstract: 本发明涉及一种针对无定位标记的玻璃基片的光刻对准装置及对准方法。针对基片的形状设计专用的定位工装和配套的第一掩膜版、第二掩膜版；通过第一掩膜版在定位工装光刻标记；通过该标记实现第二掩膜版的定位，通过第二掩膜版的狭缝在玻璃基片上光刻狭缝。玻璃基片上的狭缝精度满足实际光刻的狭缝的中心线与半圆柱母线的距离偏差≤3μm。定位准确，且不在玻璃基片表面形成任何破坏性的标记，使基片的有效使用面积最大化。
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