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公开(公告)号：CN120018626A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510129629.4
申请日：2025-02-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种双台面结构异质结红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括：衬底、外延层、钝化层和金属电极，所述外延层包括缓冲层、第一欧姆接触层、集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层，所述第一欧姆接触层上设有第一台阶，使得第一台阶内侧的第一欧姆接触层和集电层形成台柱结构，所述集电层上设有第二台阶，使得第二台阶内侧的集电层、基层、发射层、第二欧姆接触层和保护层形成微柱结构。本发明通过双台面结构的设计，有效抑制光生载流子的横向移动，同时微柱结构和台柱结构能够将电场限制在中心区域，可以降低台面周边区域的电场强度，抑制边缘击穿，降低杂质和缺陷引起的表面漏电流，降低暗电流。
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公开(公告)号：CN119560887A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311126003.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种带间级联激光器外延结构，包括：依次叠加的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层和接触层；其中，下限制层用于限制激光向第一方向泄露，上限制层用于限制激光向第二方向泄露；下波导层的带隙宽度介于下限制层与有源级联区之间，且下波导层的带隙宽度大于有源级联区的带隙宽度，下波导层的折射率大于下限制层的折射率；以及有源级联区包括一个或多个周期的注入复合叠层，注入复合叠层包括电子注入区、空穴注入区，以及设置在电子注入区与空穴注入区之间的电子空穴复合区。本公开提供的激光器外延结构相对于传统W型量子阱，电子与空穴相互作用更强，光学增益更高。
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公开(公告)号：CN119300538A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411435696.0
申请日：2024-10-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F77/14 , H10F77/124 , H10F30/223 , H10F71/00
Abstract: 本发明的实施例提供一种红外探测器的外延结构及其制备方法，红外探测器包括衬底，外延结构包括在衬底上由下至上依次叠置的缓冲层、P型层、i长波吸收层、N型层和盖层；其中，P型层包括InAs/GaInSb超晶格结构层；i长波吸收层包括InAs/GaInSb超晶格结构层；N型层包括InAs/GaInSb超晶格结构层。本发明的外延结构，i长波吸收层、P型层和N型层均包括InAs/GaInSb超晶格结构层，超晶格结构层中的GaInSb三元组分兼具载流子寿命长和吸收系数高的优点，有利于提升红外探测器的性能，此外，InAs/GaInSb超晶格材料达到特定截止波长的层厚更薄，有利于红外探测器的小型化。
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公开(公告)号：CN117970753A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410288380.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法，该装置包括：激光发射组件，包括：激光二极管，用于产生激光光束；准直器，用于将激光光束转换为平行光束；光栅模块，用于基于平行光束产生多个衍射光束，其中一个衍射光束会再次入射至激光二极管中，向激光二极管提供光反馈，以形成光栅外腔结构，其余衍射光束用于输出相干激光；光反馈是基于对衍射光束进行波长选择后得到的特定光信号实现的；驱动/温控模块，与激光发射组件相连接，用于对激光发射组件进行电流注入和温度控制；空间滤波模块，用于对激光发射组件输出的相干激光进行空间滤波，得到高斯形单横模光束；自干涉装置，用于基于高斯形单横模光束对样片进行全息光刻。
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公开(公告)号：CN115373229A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211042313.4
申请日：2022-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体激光器实现全息光刻的装置，可以应用于半导体光电器件技术领域。该装置包括：激光发射组件，检测组件和干涉装置。激光发射组件包括：蓝光激光二极管，准直透镜，驱动/温控模块，光栅构成光栅外腔结构，用于产生并输出单纵模蓝光激光；检测组件，用于实时监测单纵模蓝光激光的光谱和光强；干涉装置，用于利用单纵模蓝光激光对实验样片执行全息光刻工艺。本发明通过光栅外腔结构产生与输出单纵模蓝光激光，并实现了单纵模蓝光激光应用到全息光刻技术，其装置简便，可进行小区域的布拉格光栅制备，适用于分布式反馈激光器研制，促进其产业应用，同时也促进蓝紫光至紫外光半导体激光二极管的研发和应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106451076B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610880873.5
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导层、有源区、上波导层、上匹配层、上DBR层、接触层、绝缘层和P型电极；其中上DBR层和接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构。本发明能通过半导体激光器内部模式匹配获得四种不同波长的输出，且通过控制其中一端电极可获得调谐激光器的波长以及转换激光器工作状态的效果，基于此结构的器件首次同时获得1.069μm、1.353μm、1.77μm、2.71μm的连续以及脉冲输出。
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公开(公告)号：CN106199856A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610584646.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4249 , G02B6/422 , G02B6/425
Abstract: 一种单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法，该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置包括：单光子源器件样片，具有多个单光子源单元，所述单光子源单元能够发射单光子；光纤阵列，包括多根光纤，耦合至所述单光子源器件样片的上表面，其中光纤阵列中的一根或多根光纤与所述单光子源单元耦合。该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置制作简单、方便、可靠。
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公开(公告)号：CN104795461B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510175330.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/119
Abstract: 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO2薄膜；在SiO2薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO2薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。
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公开(公告)号：CN103531441B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310503797.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。
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公开(公告)号：CN103414106B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310357340.5
申请日：2013-08-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。
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