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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106199856A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610584646.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4249 , G02B6/422 , G02B6/425
Abstract: 一种单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法，该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置包括：单光子源器件样片，具有多个单光子源单元，所述单光子源单元能够发射单光子；光纤阵列，包括多根光纤，耦合至所述单光子源器件样片的上表面，其中光纤阵列中的一根或多根光纤与所述单光子源单元耦合。该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置制作简单、方便、可靠。
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公开(公告)号：CN107275452A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710381686.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0066 , H01L33/14 , H01L33/30
Abstract: 一种电致单光子源器件及其制备方法，其中制备方法包括：步骤1、在一衬底的上表面依次形成电流限制层和砷化镓层；步骤2、在步骤1形成的器件的上表面中心位置形成作为电流注入区的凸台；在步骤1形成的器件的上表面除了凸台所在区域的其他区域腐蚀去除砷化镓层，并露出电流限制层；步骤3、待步骤2中露出的电流限制层氧化后，在步骤2形成的器件的上表面二次外延形成p型掺杂分布式布拉格反射层，完成电致单光子源器件的制备。本发明通过二次外延的方法制备得到的电致单光子源器件，可以有效的缩小电致结构中注入电流的面积，从而可降低阈值电流，易于形成光的模式限制。
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公开(公告)号：CN118244553A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410316491.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于量子点实现光子对发射及光纤输出的装置及方法，包括：单量子点，用于产生单双激子级联发光，激子态具有H和V两重偏振态发光，两重偏振态具有能量劈裂；微腔，由第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜形成，用于控制单量子点定向出光；光纤耦合组件，由单模光纤垂直粘和制备固化封装，用于收集单量子点产生的单双激子级联发光；局域电场，由近邻调制掺杂层的单个掺杂原子产生，用于调控单量子点，以减小激子能量劈裂和调控激子波函数；发光输出模块，用于对单量子点进行荧光收集，将收集到的单双激子级联发光以高斯光场形式输出；光子对关联测试单元，用于对单双激子级联发光进行过滤并基于过滤后的单双激子检验偏振关联性。
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公开(公告)号：CN106199856B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610584646.8
申请日：2016-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 一种单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法，该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置包括：单光子源器件样片，具有多个单光子源单元，所述单光子源单元能够发射单光子；光纤阵列，包括多根光纤，耦合至所述单光子源器件样片的上表面，其中光纤阵列中的一根或多根光纤与所述单光子源单元耦合。该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置制作简单、方便、可靠。
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公开(公告)号：CN106099642A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610510717.X
申请日：2016-06-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/34
Abstract: 一种电致单光子源器件及其制备方法，该电致单光子源器件包括衬底；微柱结构，设置于衬底一侧；微柱填充物形成在所述微柱结构的侧壁外围，其高度不高于微柱结构高度；欧姆接触层，覆盖微柱结构和微柱填充物，并与微柱结构形成欧姆接触；上电极，设置在欧姆接触层上；以及下电极，形成于衬底的另一侧，该制备方法采用制备欧姆接触层形成于微柱结构与上电极之间，对工艺和设备要求不高。
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