-
公开(公告)号：CN115373229B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202211042313.4
申请日：2022-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体激光器实现全息光刻的装置，可以应用于半导体光电器件技术领域。该装置包括：激光发射组件，检测组件和干涉装置。激光发射组件包括：蓝光激光二极管，准直透镜，驱动/温控模块，光栅构成光栅外腔结构，用于产生并输出单纵模蓝光激光；检测组件，用于实时监测单纵模蓝光激光的光谱和光强；干涉装置，用于利用单纵模蓝光激光对实验样片执行全息光刻工艺。本发明通过光栅外腔结构产生与输出单纵模蓝光激光，并实现了单纵模蓝光激光应用到全息光刻技术，其装置简便，可进行小区域的布拉格光栅制备，适用于分布式反馈激光器研制，促进其产业应用，同时也促进蓝紫光至紫外光半导体激光二极管的研发和应用。
-
公开(公告)号：CN116151382A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310140952.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种光量子受控非门及其实现方法，其包括利用微腔将控制光子复制到电子自旋态；将处于右旋态的光子输入微腔，使右旋态的光子与电子自旋态产生强耦合及纠缠，得到第一纠缠态、第一反射态以及透射态；将反射态输入第一半波片后转为左旋态，左旋态与透射态合并产生第一输出光量子态；将信号光子输入微腔，使信号光子与电子自旋态产生强耦合及纠缠，得到第二纠缠态以及第二反射态；根据第二纠缠态产生第二输出光量子态；第一输出光量子态和第二输出光量子态处于纠缠状态。本公开在微腔Q值足够高，量子点耦合效率足够好，光子输入输出效率足够高以及量子点质量足够好的情况下，理论效率可以接近100％并且可以获得确定性结果。
-
公开(公告)号：CN117970753A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410288380.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法，该装置包括：激光发射组件，包括：激光二极管，用于产生激光光束；准直器，用于将激光光束转换为平行光束；光栅模块，用于基于平行光束产生多个衍射光束，其中一个衍射光束会再次入射至激光二极管中，向激光二极管提供光反馈，以形成光栅外腔结构，其余衍射光束用于输出相干激光；光反馈是基于对衍射光束进行波长选择后得到的特定光信号实现的；驱动/温控模块，与激光发射组件相连接，用于对激光发射组件进行电流注入和温度控制；空间滤波模块，用于对激光发射组件输出的相干激光进行空间滤波，得到高斯形单横模光束；自干涉装置，用于基于高斯形单横模光束对样片进行全息光刻。
-
公开(公告)号：CN115373229A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211042313.4
申请日：2022-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体激光器实现全息光刻的装置，可以应用于半导体光电器件技术领域。该装置包括：激光发射组件，检测组件和干涉装置。激光发射组件包括：蓝光激光二极管，准直透镜，驱动/温控模块，光栅构成光栅外腔结构，用于产生并输出单纵模蓝光激光；检测组件，用于实时监测单纵模蓝光激光的光谱和光强；干涉装置，用于利用单纵模蓝光激光对实验样片执行全息光刻工艺。本发明通过光栅外腔结构产生与输出单纵模蓝光激光，并实现了单纵模蓝光激光应用到全息光刻技术，其装置简便，可进行小区域的布拉格光栅制备，适用于分布式反馈激光器研制，促进其产业应用，同时也促进蓝紫光至紫外光半导体激光二极管的研发和应用。
-
公开(公告)号：CN118980429A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411070384.4
申请日：2024-08-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种外延片光致发光特性的测试方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：加热外延片至预设温度；利用目标激光光束激励外延片产生光信号；用探测器探测并记录光信号；以及基于光信号，判断外延片的光致发光特性。通过直接测试光致发光光谱来判断外延片在不同温度下的光致发光质量，避免了复杂的工艺验证。本发明还提供了一种外延片光致发光特性的测试装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111525005B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010557214.4
申请日：2020-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。
-
公开(公告)号：CN111525005A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010557214.4
申请日：2020-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括：衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列；所述缓冲层设置于所述衬底上；所述DBR反射层设置于所述缓冲层上；所述吸收层设置于所述DBR反射层上；所述有源层设置于所述吸收层上；所述盖层设置于所述有源层上；所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到，所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率，提高了制作量子点单光子源器件的成品率。
-
公开(公告)号：CN116151382B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310140952.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种光量子受控非门及其实现方法，其包括利用微腔将控制光子复制到电子自旋态；将处于右旋态的光子输入微腔，使右旋态的光子与电子自旋态产生强耦合及纠缠，得到第一纠缠态、第一反射态以及透射态；将反射态输入第一半波片后转为左旋态，左旋态与透射态合并产生第一输出光量子态；将信号光子输入微腔，使信号光子与电子自旋态产生强耦合及纠缠，得到第二纠缠态以及第二反射态；根据第二纠缠态产生第二输出光量子态；第一输出光量子态和第二输出光量子态处于纠缠状态。本公开在微腔Q值足够高，量子点耦合效率足够好，光子输入输出效率足够高以及量子点质量足够好的情况下，理论效率可以接近100％并且可以获得确定性结果。
-
公开(公告)号：CN110098563B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910504380.5
申请日：2019-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于双腔结构的纠缠光源，由上至下包括：上DBR层，用于提高反射率；上腔体，用于提供上谐振腔模；中DBR层，用于提高反射率；下腔体，用于提供下谐振腔模；以及下DBR层，用于提高反射率；所述基于双腔结构的纠缠光源，通过改变材料的结构，可以直接构造出双腔模结构，包括上中下三层分布式布拉格反射镜(DBR)，其用于提高反射率，不需要太复杂的工艺，收集纠缠光子对的效率提高了很多。
-
公开(公告)号：CN118244553A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410316491.4
申请日：2024-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种基于量子点实现光子对发射及光纤输出的装置及方法，包括：单量子点，用于产生单双激子级联发光，激子态具有H和V两重偏振态发光，两重偏振态具有能量劈裂；微腔，由第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜形成，用于控制单量子点定向出光；光纤耦合组件，由单模光纤垂直粘和制备固化封装，用于收集单量子点产生的单双激子级联发光；局域电场，由近邻调制掺杂层的单个掺杂原子产生，用于调控单量子点，以减小激子能量劈裂和调控激子波函数；发光输出模块，用于对单量子点进行荧光收集，将收集到的单双激子级联发光以高斯光场形式输出；光子对关联测试单元，用于对单双激子级联发光进行过滤并基于过滤后的单双激子检验偏振关联性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.022 seconds)
