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公开(公告)号：CN119560887A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311126003.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种带间级联激光器外延结构，包括：依次叠加的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层和接触层；其中，下限制层用于限制激光向第一方向泄露，上限制层用于限制激光向第二方向泄露；下波导层的带隙宽度介于下限制层与有源级联区之间，且下波导层的带隙宽度大于有源级联区的带隙宽度，下波导层的折射率大于下限制层的折射率；以及有源级联区包括一个或多个周期的注入复合叠层，注入复合叠层包括电子注入区、空穴注入区，以及设置在电子注入区与空穴注入区之间的电子空穴复合区。本公开提供的激光器外延结构相对于传统W型量子阱，电子与空穴相互作用更强，光学增益更高。
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公开(公告)号：CN117424072A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311595285.3
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种具有片上滤波结构的半导体激光器，包括：由下至上依次叠设的N面电极、N型衬底、缓冲层、N型限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型限制层，其中，P型限制层的中部呈凸台形状且两侧开设有台阶结构，凸台形状的上表面覆盖有盖层，台阶结构的上表面和侧面均覆盖有绝缘层，盖层和绝缘层露出的区域覆盖有P面电极层，P型限制层的中部凸出区域和盖层构成半导体激光器的脊条；沟槽结构，形成于脊条内，包括多个齿状沟槽和多个条状沟槽，多个齿状沟槽和多个条状沟槽均沿着半导体激光器的出光方向排列。本发明可以实现高功率输出并有效改善侧向远场特征。
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公开(公告)号：CN115832870A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211401632.X
申请日：2022-11-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在衬底表面依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层、帽层、顶部电极，和形成于衬底背面的底部电极，所述上限制层、帽层和顶部电极形成脊条，所述脊条上设置有模式调控阵列结构，所述模式调控阵列结构包括沟道和箭头结构阵列，所述沟道形成于所述脊条的两侧，所述箭头结构阵列包括多个箭头结构单元，每个所述箭头结构单元包括至少一个箭头，其中，所述箭头结构阵列中的箭头结构单元形成于所述半导体激光器的侧向光场分布的N‑1阶模式的峰值位置，N为大于等于2的整数。
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公开(公告)号：CN119560888A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311126015.8
申请日：2023-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种量子阱激光器外延结构及量子阱激光器，外延结构包括：依次叠加的衬底、缓冲层、下包层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上包层和接触层；其中，下包层用于限制激光向第一方向泄露，上包层用于限制激光向第二方向泄露；下波导层的带隙宽度介于下包层与量子阱有源区之间，且下波导层的带隙宽度大于量子阱有源区的带隙宽度，下波导层的折射率大于下包层的折射率；以及量子阱有源区包括一个或多个相互交叠设置的量子阱层和啁啾势垒，啁啾势垒用于反射电子和空穴，以限制电子和空穴在量子阱层复合发光。本公开的外延结构增强了电子空穴的相互作用，可以提高光学增益，以及减小器件阈值电流、提高特征温度。
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