-
公开(公告)号：CN103414106B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310357340.5
申请日：2013-08-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。
-
公开(公告)号：CN103545711A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310498595.3
申请日：2013-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。
-
公开(公告)号：CN1874088A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200510011848.5
申请日：2005-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学汽相淀积外延生长反向结的过程促使量子阱混杂区的镓空位向量子阱区扩散，实现量子混杂和带隙波长蓝移；(3)非混杂区在量子阱混杂的整个过程中受到很好的保护。本发明提出的掩埋异质结构光器件的量子阱混杂及制作方法可以广泛应用于各种需要带隙波长蓝移的器件的制作。
-
公开(公告)号：CN103545711B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201310498595.3
申请日：2013-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。
-
公开(公告)号：CN103414106A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310357340.5
申请日：2013-08-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103368042A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310280782.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激发后产生太赫兹波。本发明将半导体超短脉冲激光器和半导体光放大器以及光电导天线或电光晶体结合在一起，搭建出有效的太赫兹源。和传统的太赫兹源设备相比，体积大大缩小，成本降低，转换效率提高，可以解决太赫兹源的微型化和普及化的问题。
-
公开(公告)号：CN103647217A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310706406.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明公开了一种既可以呈现晶闸管电学特性又可以呈现激光器光学特性的PiNiN结构晶闸管激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的晶闸管激光器中引入重掺杂N层和重掺杂P层，以及无掺杂的i层，在获得晶闸管电学特性的同时，可以获得高功率和低阈值的激光器光学特性。
-
公开(公告)号：CN102832538A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210333043.2
申请日：2012-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/30
Abstract: 一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，其生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，其制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在多周期上量子点层上。本发明提供的用于宽谱光放大的多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，可以很好的解决量子点层数受限制的问题。
-
公开(公告)号：CN100349338C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510011848.5
申请日：2005-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光器件技术领域，特别是一种具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法。步骤包括：(1)采用普通化学汽相淀积生长二氧化硅，在一次外延结构片顶层选择性产生用于量子阱混杂的镓空位；(2)金属有机化合物化学汽相淀积外延生长反向结的过程促使量子阱混杂区的镓空位向量子阱区扩散，实现量子混杂和带隙波长蓝移；(3)非混杂区在量子阱混杂的整个过程中受到很好的保护。本发明提出的掩埋异质结构光器件的量子阱混杂及制作方法可以广泛应用于各种需要带隙波长蓝移的器件的制作。
-
公开(公告)号：CN1713472A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410050003.2
申请日：2004-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，该波导层制作在缓冲层上；一准量子阱有源区，该准量子阱有源区制作在波导层上，以实现宽带增益；一上波导层，该上波导层制作在准量子阱有源区上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；该包层、接触层形成带模斑转换器的脊形波导。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.03 seconds)
