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公开(公告)号：CN119907332A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411973631.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F71/00 , H10F77/14 , H10F30/222
Abstract: 本发明公开了一种平面型红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底以及衬底上依次生长的缓冲层、N型掺杂接触层、超晶格吸收层和本征接触层，由此形成叠层结构；还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于本征接触层上形成的扩散区域内，所述第二电极位于N型掺杂接触层上形成的凹陷区域内。本发明通过在本征接触层中进行P型扩散形成光电响应通道，由此形成平面型PN结，能够消除探测器的侧壁漏电流，并提高光子注入效率。此外，相较于传统的台面型探测器，本发明减少了钝化处理工艺，有效降低了生产成本，提高了产品良品率。
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公开(公告)号：CN116936659A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311016794.6
申请日：2023-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 一种双极势垒短波红外探测器及制备方法，该双极势垒短波红外探测器包括：衬底；缓冲层，形成于衬底上；第一接触层，形成于缓冲层上，叠层结构，形成于第一接触层上，且与第一接触层形成台面，叠层结构包括：空穴势垒层，形成于第一接触层上；光吸收层，形成于空穴势垒层上，光吸收层适用于吸收外部的短波红外光，并产生电子和空穴；电子势垒层，形成于光吸收层上；第二接触层，形成于电子势垒层上；第一电极，形成于第一接触层上，且位于叠层结构的两侧，第一电极和第一接触层形成欧姆接触；第二电极，形成于第二接触层上，且位于第二接触层的两端，第二电极和第二接触层形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101624725A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116412.6
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/44 , C30B23/02 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向 方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明，生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm，即成功地抑制了反相畴的产生，其晶体质量优于目前世界的最好结果。
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公开(公告)号：CN1953217A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510086639.7
申请日：2005-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势垒层上；一GaInNAsSb量子阱层，该GaInNAsSb量子阱层制作在第一GaNAs势垒层上；一第二GaNAs势垒层，该第二GaNAs势垒层制作在GaInNAsSb量子阱层上；一第GaAs势垒层，该第二GaAs势垒层制作在第二GaNAs势垒层上；一GaAs覆盖层，该GaAs覆盖层制作在第二GaAs势垒层上。
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公开(公告)号：CN1786107A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410009992.0
申请日：2004-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09K11/74
Abstract: 一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637908A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311528094.5
申请日：2023-11-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 一种红外探测器的制备方法、红外探测器，该制备方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、N型掺杂接触层、吸收层、P型掺杂接触层和P型盖层，得到第一器件；对第一器件的叠层结构的两端进行刻蚀以在刻蚀后的N型掺杂接触层上形成沿第一方向突出的台面结构，得到第二器件；在第二器件远离衬底的表面制备电极窗口掩膜，得到第三器件；在第三器件远离衬底的表面沉积增透钝化层；去除第一电极窗口掩膜以及第一电极窗口掩膜上的增透钝化层，得到第一电极窗口，去除第二电极窗口掩膜以及第二电极窗口掩膜上的增透钝化层，得到第二电极窗口；在第一电极窗口上制备第一电极，在第二电极窗口上制备第二电极，得到红外探测器。
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公开(公告)号：CN113488558A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110764262.5
申请日：2021-07-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器及其制备方法，属于探测器技术领域，该探测器包括：衬底，所述衬底包括光子晶体阵列，所述光子晶体阵列位于所述衬底的底部，所述光子晶体阵列包括n组四色探测单元，一组所述四色探测单元包括四个光子晶体组，每个所述光子晶体组包括四个不同波段的光子晶体；外延层，在所述衬底表面外延得到，所述外延层包括焦平面阵列台面，所述焦平面阵列台面位于所述外延层的顶部，所述焦平面阵列台面的凸出部分为像元；所述光子晶体阵列与所述焦平面阵列台面相对设置，其中所述光子晶体组与所述像元相对设置；其中，n为大于或等于1的整数。
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公开(公告)号：CN113358677A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110628108.5
申请日：2021-06-06
Applicant: 南京国科半导体有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N23/20058
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法，采用分子束外延法生长InAs层，该方法包括步骤：S1：打开Ga源炉快门和Sb源炉快门在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，之后关闭Ga源炉快门和Sb源炉快门；S2：同时打开In源炉快门和As源炉快门在GaSb缓冲层上生长InAs层；S3：生长一段时间后，保持As源炉快门打开，关闭In源炉快门，以形成InAs平滑层，预定时间段后再次打开In源炉快门生长InAs层，再次生长InAs层的过程中利用反射式高能电子衍射强度振荡曲线测得InAs层生长速度。本发明的方法在InAs平滑层基础上生长在InAs层时测定生长速度，更容易得到振荡周期较多且较光滑的RHEED强度振荡曲线，使得InAs层生长速度测定结果更准确。
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公开(公告)号：CN114122185B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202111399153.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种短波双色红外探测器，包括：衬底，衬底的材料包括GaSb材料，缓冲层，形成于衬底表面，缓冲层的材料包括GaSb材料，短波红外单元，包括依次叠设在缓冲层表面的第一P型层、短波吸收层、第一N型层，其中，第一P型层、短波吸收层、第一N型层的材料包括AlInAsSb、InGaAsSb四元合金材料中的至少一种，雪崩倍增单元，包括依次叠设在第一N型层表面的第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层，其中，第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层的材料包括材料空穴离化系数与材料电子离化系数之比小于预设值的材料。本发明采用PINNIP型背靠背双二极管结构，可通过偏压极性调制实现探测短波长红外光和测距功能。
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公开(公告)号：CN101624725B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810116412.6
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/44 , C30B23/02 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向 方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理后的Ge衬底在As蒸气环境下暴露一定时间，然后在温度300至650℃范围内在该Ge衬底上生长无反相畴的GaAs薄膜。测试结果表明，生长出的GaAs薄膜表面粗糙度仅为0.718nm，即成功地抑制了反相畴的产生，其晶体质量优于目前世界的最好结果。
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