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公开(公告)号：CN103531441B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310503797.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。
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公开(公告)号：CN103194793A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310088301.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531441A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310503797.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L21/02463 , H01L21/02546
Abstract: 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。
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公开(公告)号：CN102194671B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110121899.9
申请日：2011-05-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。
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公开(公告)号：CN102034909A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910235334.6
申请日：2009-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对GaAs衬底的加热器进行升温，在有As保护的情况下对GaAs衬底进行脱氧；将GaAs衬底的加热器温度降至生长温度，生长GaAs缓冲层，并掺杂Si；生长多对GaAs/AlGaAs分布式布拉格反射镜；降低生长温度，生长低密度量子点；生长InGaAs(Sb)盖层；生长耦合量子点拓展波长；生长掺杂GaAs层；制作上下电极。利用本发明，有效改善量子点发光效率，提高了收集效率以及实现了波长的调控。
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公开(公告)号：CN103194793B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310088301.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。
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公开(公告)号：CN102194671A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110121899.9
申请日：2011-05-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。
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