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公开(公告)号：CN103531679A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310503124.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , B82Y40/00 , H01L33/04 , H01L33/30
Abstract: 一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。
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公开(公告)号：CN102832538A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210333043.2
申请日：2012-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/30
Abstract: 一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，其生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，其制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在多周期上量子点层上。本发明提供的用于宽谱光放大的多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，可以很好的解决量子点层数受限制的问题。
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公开(公告)号：CN103194793B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310088301.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。
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公开(公告)号：CN103165418B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310079069.3
申请日：2013-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。
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公开(公告)号：CN103367588A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310290299.4
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有Ga液滴；采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；在As环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成纳米环；利用纳米环作为掩膜生长量子点，并生长盖层。本发明首次实现纳米线侧壁图形化生长量子点，实现了对单根纳米线上量子点数量的定量控制，在纳米线基单光子源方面具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531679B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310503124.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。
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公开(公告)号：CN103531441A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310503797.2
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L21/02463 , H01L21/02546
Abstract: 一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。
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公开(公告)号：CN103345028A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310291215.9
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法，该方法包括：在光电子器件表面预涂一层光刻胶；利用光刻技术在光电子器件表面形成对准孔阵列；在光纤的端部剥去涂覆层露出光纤内芯；在显微镜及位移平台的辅助下将光纤端部露出的光纤内芯插入对准孔内，并用胶体固定。本发明特别适用于如单光子源等出光面积小、需要空间隔离的光电子器件的光纤耦合输出，具有空间分辨率高和技术简单可靠的优点。
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公开(公告)号：CN103414106A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310357340.5
申请日：2013-08-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。
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公开(公告)号：CN103368042A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310280782.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激发后产生太赫兹波。本发明将半导体超短脉冲激光器和半导体光放大器以及光电导天线或电光晶体结合在一起，搭建出有效的太赫兹源。和传统的太赫兹源设备相比，体积大大缩小，成本降低，转换效率提高，可以解决太赫兹源的微型化和普及化的问题。
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