公开(公告)号：CN119300538A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411435696.0

申请日：2024-10-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李琛 ,  牛智川 ,  蒋洞微 ,  王国伟 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  郝宏玥 ,  倪海桥

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/124 ,  H10F30/223 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明的实施例提供一种红外探测器的外延结构及其制备方法，红外探测器包括衬底，外延结构包括在衬底上由下至上依次叠置的缓冲层、P型层、i长波吸收层、N型层和盖层；其中，P型层包括InAs/GaInSb超晶格结构层；i长波吸收层包括InAs/GaInSb超晶格结构层；N型层包括InAs/GaInSb超晶格结构层。本发明的外延结构，i长波吸收层、P型层和N型层均包括InAs/GaInSb超晶格结构层，超晶格结构层中的GaInSb三元组分兼具载流子寿命长和吸收系数高的优点，有利于提升红外探测器的性能，此外，InAs/GaInSb超晶格材料达到特定截止波长的层厚更薄，有利于红外探测器的小型化。