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公开(公告)号：CN106451076B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610880873.5
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导层、有源区、上波导层、上匹配层、上DBR层、接触层、绝缘层和P型电极；其中上DBR层和接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构。本发明能通过半导体激光器内部模式匹配获得四种不同波长的输出，且通过控制其中一端电极可获得调谐激光器的波长以及转换激光器工作状态的效果，基于此结构的器件首次同时获得1.069μm、1.353μm、1.77μm、2.71μm的连续以及脉冲输出。
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公开(公告)号：CN106953235A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201610152882.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/343 , H01S5/1206 , H01S5/1231 , H01S5/22
Abstract: 一种单模GaSb基半导体激光器，包括N型GaSb衬底和外延层，所述外延层包括下波导层、下波导层之上的上波导层，上波导层之上的p型上限制层以及p型上限制层之上的P型上缓冲层，其中，在所述外延层的部分区域从所述p型上缓冲层向下刻蚀，刻蚀深度位于p型上限制层上表面至上波导层下表面之间，形成的一中间高、两边低的脊型波导结构；以及所述脊型波导结构在P型上限制层的部分区域进一步向下刻蚀形成周期性光栅。还提供了一种侧向耦合光栅的单模GaSb基半导体激光器的制备方法。通过该特定光栅结构，减小因为制作光栅而引起的二次外延等材料生长复杂的问题，同时可以有效避免铝的氧化问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105098595A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510612638.5
申请日：2015-09-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种2μm单模大功率GaSb基金属光栅主振荡功率放大器集成半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的等腰梯形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀所述P型上接触层和P型上限制层形成的脊形波导结构；金属光栅区，其位于所述主振荡区后部，为形成在所述上波导层表面的周期性光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导结构的两侧，与所述脊形波导结构倾斜设置。
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公开(公告)号：CN106451076A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610880873.5
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导层、有源区、上波导层、上匹配层、上DBR层、接触层、绝缘层和P型电极；其中上DBR层和接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构。本发明能通过半导体激光器内部模式匹配获得四种不同波长的输出，且通过控制其中一端电极可获得调谐激光器的波长以及转换激光器工作状态的效果，基于此结构的器件首次同时获得1.069μm、1.353μm、1.77μm、2.71μm的连续以及脉冲输出。
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公开(公告)号：CN106300015A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610871786.3
申请日：2016-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34313
Abstract: 本发明提供一种大功率1.8-4μm半导体激光器及其制备方法，涉及中红外激光器技术领域。本发明所述的激光器包括：有源区(包括InGaAsSb量子阱或AlGaInAsSb势垒层)、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层等结构。同时，本发明提出采用脊型宽面波导，波导刻蚀至上波导层，在绝缘层刻蚀出电注入窗口，形成电流注入区域；在沉积n面电极之前对磨抛面用稀盐酸溶液进行处理；另外，在激光器烧结时通入甲酸和氮气双路保护气体，旨在激光器能够获得大功率输出，避免焊料出现空洞和器件爬In现象，提高器件稳定性和寿命。
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公开(公告)号：CN105161976A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510544459.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法，该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的锥形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的脊形波导结构；布拉格反射区，其位于所述主振荡区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的周期性布拉格光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导两侧，与所述脊形波导倾斜设置。
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公开(公告)号：CN107254667A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710422047.0
申请日：2017-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光学介质薄膜、Al2O3、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法，其中，光学介质薄膜的制备方法包括：将衬底放置在电子束蒸发设备的腔室中，抽真空；采用离化的氩气和氮气在高能电场下轰击衬底表面；高能电子分批次轰击光学介质的靶材，对光学介质粒子分步预熔；在衬底上沉积所述光学介质粒子，完成光学介质薄膜的制备。本发明的制备方法无需退火过程，避免了退火过程中对光学介质薄膜光学和机械性能等的影响，从而得到高质量的光学介质薄膜，为各种增透膜和高反膜的制备奠定基础。
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