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公开(公告)号：CN104795461A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510175330.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/119
CPC classification number: H01L31/119 , H01L31/1844
Abstract: 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO2薄膜；在SiO2薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO2薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。
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公开(公告)号：CN104611670B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510030113.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括：单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；对所沉积的薄膜样品进行退火处理。本发明无需高温退火处理，既保证了氧化钒薄膜制备与MEMS工艺和集成电路工艺的兼容性，又可以得到电阻率适中的氧化钒薄膜材料，可满足高性能氧化钒基非制冷型红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN104611670A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510030113.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/0629 , C23C14/0652 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法，包括：单晶硅衬底表面清洗，装入磁控溅射装置生长室；在单晶硅表面溅射氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；在氧化钒薄膜上沉积一层硫化锌薄膜；在硫化锌薄膜上沉积一层氧化钒薄膜；对所沉积的薄膜样品进行退火处理。本发明无需高温退火处理，既保证了氧化钒薄膜制备与MEMS工艺和集成电路工艺的兼容性，又可以得到电阻率适中的氧化钒薄膜材料，可满足高性能氧化钒基非制冷型红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN104795461B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510175330.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/119
Abstract: 一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO2薄膜；在SiO2薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO2薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。
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