公开(公告)号：CN103414106B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310357340.5

申请日：2013-08-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 丁颖 ,  倪海桥 ,  李密锋 ,  喻颖 ,  查国伟 ,  徐建新 ,  王莉娟 ,  牛智川

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。

公开(公告)号：CN103414106A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310357340.5

申请日：2013-08-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 丁颖 ,  倪海桥 ,  李密锋 ,  喻颖 ,  查国伟 ,  徐建新 ,  王莉娟 ,  牛智川

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。