公开(公告)号：CN103414106B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310357340.5

申请日：2013-08-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 丁颖 ,  倪海桥 ,  李密锋 ,  喻颖 ,  查国伟 ,  徐建新 ,  王莉娟 ,  牛智川

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。

公开(公告)号：CN103414106A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310357340.5

申请日：2013-08-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 丁颖 ,  倪海桥 ,  李密锋 ,  喻颖 ,  查国伟 ,  徐建新 ,  王莉娟 ,  牛智川

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。

公开(公告)号：CN103368042A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310280782.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 倪海桥 ,  丁颖 ,  徐应强 ,  李密锋 ,  喻颖 ,  査国伟 ,  徐建新 ,  牛智川

IPC: H01S1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激发后产生太赫兹波。本发明将半导体超短脉冲激光器和半导体光放大器以及光电导天线或电光晶体结合在一起，搭建出有效的太赫兹源。和传统的太赫兹源设备相比，体积大大缩小，成本降低，转换效率提高，可以解决太赫兹源的微型化和普及化的问题。