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公开(公告)号：CN119560887A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311126003.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种带间级联激光器外延结构，包括：依次叠加的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层和接触层；其中，下限制层用于限制激光向第一方向泄露，上限制层用于限制激光向第二方向泄露；下波导层的带隙宽度介于下限制层与有源级联区之间，且下波导层的带隙宽度大于有源级联区的带隙宽度，下波导层的折射率大于下限制层的折射率；以及有源级联区包括一个或多个周期的注入复合叠层，注入复合叠层包括电子注入区、空穴注入区，以及设置在电子注入区与空穴注入区之间的电子空穴复合区。本公开提供的激光器外延结构相对于传统W型量子阱，电子与空穴相互作用更强，光学增益更高。
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公开(公告)号：CN109586159A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910061317.9
申请日：2019-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种片上集成半导体激光器结构及其制备方法，该设计结构包括：依次沉积在衬底上的第一N接触层、第一N限制层、第一有源区、第一P限制层、第一P接触层、隔离层，第二N接触层、第二N限制层、第二有源区、第二P限制层和第二P接触层作为外延结构，通过光刻刻蚀该外延结构实现双波长激光器的制作；以及波导结构，包括第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构；光栅，设置于第一激光器的波导结构和第二激光器的波导结构两侧，实现激光模式的筛选；和电流注入窗口。本发明通过在同一片外延上实现不同波段半导体激光器外延材料生长，实现了不同波长激光器的片上集成，达到在同一激光器上激射不同波长的激光的目的。
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公开(公告)号：CN113540973A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110818874.8
申请日：2021-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京国科半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多波长集成单模激光种子源，包括：一个集成温控的旋转平台；多个激光器管芯，每个激光器管芯分别具有不同的增益谱峰值；一个光纤分束器，包括：输入端的一支输入光纤和输出端的多支光纤光栅，其中，输入光纤固定于与激光器管芯耦合的最佳位置处，多支光纤光栅同时接收与输入光纤耦合的激光器管芯输出的激光；其中，每支光纤光栅分别具有与每个激光器管芯增益谱峰值对应的光栅反射谱，能够对相应的激光器管芯进行选模，从而实现特定波长的单模激光输出。
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公开(公告)号：CN111244734A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010088233.7
申请日：2020-02-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/042 , H01S3/06 , H01S3/08 , H01S3/081 , H01S3/0941
Abstract: 本公开提供一种中红外单模激光器，包括：激光源，用于发出准直泵浦光；增益模块，用于接收所述泵浦光并生成受激辐射光；所述增益模块，包括：碳化硅散热片；碟片晶体，位于所述碳化硅散热片表面；以及铜热沉，包覆于所述碳化硅散热片及碟片晶体外，且留有通光孔；反射镜，用于反射所述受激辐射光；输出耦合镜，与所述碟片晶体以及反射镜成三角型排布，构成一个V型谐振腔，进而获得激光输出。
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公开(公告)号：CN105161976A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510544459.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法，该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括：衬底，外延结构，其生长所述衬底上，由下至上包括：N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层；增益放大区，其位于所述半导体激光器的前部即出光部分，为向下刻蚀所述P型上接触层形成的锥形结构；主振荡区，其位于所述增益放大区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的脊形波导结构；布拉格反射区，其位于所述主振荡区后部，为向下刻蚀P型上限制层形成的周期性布拉格光栅结构；光限制槽，其对称分布于所述脊形波导两侧，与所述脊形波导倾斜设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111431033B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010281514.4
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法，包括：GaSb衬底，以及在GaSb衬底上依次外延生长的下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层以及上接触层；其中，有源级联区包含多个周期，每个周期包含注入区与有源区，在注入区中，电子的能量被提升至第一能级，在提升至第一能级后，电子被注入有源区，在有源区中，电子从第一能级跃迁至第二能级，并在跃迁过程中发光，第二能级低于第一能级，在跃迁至第二能级后，电子利用声子从第二能级跃迁至第三能级，第三能级低于第二能级，在跃迁至第三能级后，电子被注入下一个周期的注入区。本公开提供的中红外锑化物量子级联激光器可以覆盖整个中红外波段。
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公开(公告)号：CN111244757B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010061988.8
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种中红外波长全覆盖可调谐光模块，该可调谐光模块包括至少两个有源光器件、一个闪耀光栅和一个高反射金镜，其中：所述至少两个有源光器件，设置于可旋转圆柱体上，且在可旋转圆柱体旋转至指定位置时发射光；闪耀光栅，用于将接收自有源光器件的光分成两部分，其中一部分反射回有源光器件，另一部分反射至高反射金镜；高反射金镜，用于将自闪耀光栅入射的光以固定的方向输出。本发明通过闪耀光栅将反射至高反射金镜中的光的波长进行调谐，扩大有源光器件发射的光的波长范围，实现了中红外波长的全覆盖，可适用于不同波长的气体检测，同时可调谐光模块采用多个单元组成，体积较小，可以便于运输和存储。
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公开(公告)号：CN111276867A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811485068.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种单片集成双波长半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。该半导体激光器包括：第一激光器、第二激光器、第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一激光器包括第一激光器P电极，所述第二激光器包括第二激光器P电极和第二激光器桥电极；其中，所述第二激光器P电极位于第一激光器P电极与第二激光器桥电极之间，所述第一隔离槽制备于第一激光器P电极和第二激光器P电极之间；所述第二隔离槽制备于第二激光器P电极和第二激光器桥电极之间。本发明中，通过两个激光器电流和隔离槽的特殊设计，使得两个激光器可以同时或者分别单独工作。
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公开(公告)号：CN109217109A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811000562.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本公开提供一种基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法，该基于数字合金势垒的量子阱结构包括：阱层和势垒层，阱层为体材料结构；势垒层分别形成于阱层的上下表面上，其为数字合金结构。本公开提供的基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法中量子阱结构中势垒层采用数字合金结构，阱层采用体材料结构，此种量子阱结构结合了数字合金和体材料两者的优势：数字合金的能带区别于体材料的能带，更大的电子带阶和空穴带阶可以更有效地将电子和空穴限制在阱内，减小了载流子的泄露，提高了量子效率。
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公开(公告)号：CN109149368A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810959840.9
申请日：2018-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34313
Abstract: 本发明公开了一种渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法，其中，渐变掺杂宽波导带间级联激光器，包括：衬底；以及自下而上依次外延的下波导包层、下分别限制层、级联区、上分别限制层、上波导包层、以及上接触层；其中，下分别限制层和上分别限制层的厚度为百纳米到微米量级，并且下分别限制层和上分别限制层都是渐变掺杂，使得下分别限制层和上分别限制层的两端掺杂浓度相对较高，中心区域掺杂浓度相对较低。该渐变掺杂宽波导带间级联激光器有效提高了光学限制因子，增加光学增益；有效的降低异质结面的电压降，提高光电效率，可以减小串联电阻，减小自由载流子吸收，减小器件的损耗；并能降低工作电压，提高工作效率。
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