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公开(公告)号：CN102376824A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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公开(公告)号：CN104538463B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410748528.7
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiNx)钝化层，P电极及加厚电极(8)。制备工艺在原有工艺基础之上改进得到，包括扩散掩膜的去除、硫化和感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：芯片的钝化层结构比较均匀；有效减少器件的表面态密度，且表面形成的硫化膜能够避免表面再次被氧化；工艺对材料表面损伤小，薄膜致密、与衬底之间应力匹配，元素成键状态好，钝化效果优。
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公开(公告)号：CN104538463A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410748528.7
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/1844
Abstract: 本发明公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiNx)钝化层，P电极及加厚电极(8)。制备工艺在原有工艺基础之上改进得到，包括扩散掩膜的去除、硫化和感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长氮化硅钝化膜。本发明的优点在于：芯片的钝化层结构比较均匀；有效减少器件的表面态密度，且表面形成的硫化膜能够避免表面再次被氧化；工艺对材料表面损伤小，薄膜致密、与衬底之间应力匹配，元素成键状态好，钝化效果优。
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公开(公告)号：CN103413863A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310327079.4
申请日：2013-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法。对于传统的PIN型铟镓砷红外探测器，由于磷化铟帽层或者衬底的吸收，限制了铟镓砷探测器在可见光波段的量子效率。本发明使用加入阻挡层的铟镓砷外延材料制备器件，在探测器阵列器件制备后与读出电路耦合，采用湿法和干法相结合的技术减薄衬底，提高器件在可见光波段的量子效率。另外，采用这种新工艺制备的平面型铟镓砷红外探测器芯片，在实现波长延伸的同时，在常规波段也能保持和传统的铟镓砷探测器相当的量子效率和暗电流。
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公开(公告)号：CN102376824B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544043A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019745.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻的子像元有效吸收，在探测器量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀。另外，这种结构减少了扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。本设计是一种可以抑制串音、降低器件盲元率及器件暗电流的新型平面型器件结构。
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公开(公告)号：CN102221406A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110135542.6
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J4/04
Abstract: 本发明公开了一种单片集成亚波长微偏振光栅的InGaAs线列或面阵探测器。它是一种光电探测器，由InGaAs光敏芯片、增透膜和亚波长微偏振光栅组成。增透膜选用低折射率SiO2材料，改善亚波长微偏振光栅的消光比。亚波长微偏振光栅是由不同偏振取向的偏振单元构成的偏振光栅线列或阵列，每个偏振单元是光栅周期小于入射光波长的金属偏振光栅。本发明实现亚波长微偏振光栅在近红外探测器上的片上集成，主要优点是：①将偏振光栅与探测器单片集成，简化光学系统，省略偏振扫描系统的运动部件；②可以实现高精度的角度定量化，避免角度误差；③不同偏振取向的偏振单元同时成像，对移动的目标获得准确的偏振信息。
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公开(公告)号：CN102544043B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210019745.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻的子像元有效吸收，在探测器量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀。另外，这种结构减少了扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。本设计是一种可以抑制串音、降低器件盲元率及器件暗电流的新型平面型器件结构。
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公开(公告)号：CN102544222A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019114.1
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。所制备的探测器在量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。
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公开(公告)号：CN204332968U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201420770646.3
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本专利公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiNx)钝化层，P电极及加厚电极(8)。制备工艺在原有工艺基础之上改进得到，包括扩散掩膜的去除、硫化和感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长氮化硅钝化膜。本专利的优点在于：芯片的钝化层结构比较均匀；有效减少器件的表面态密度，且表面形成的硫化膜能够避免表面再次被氧化；工艺对材料表面损伤小，薄膜致密、与衬底之间应力匹配，元素成键状态好，钝化效果优。
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