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公开(公告)号：CN103855251A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020943.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327 , H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法，该方法工艺上采用光刻套刻结合ICP干法刻蚀的手段，然后采用化学湿法腐蚀制备出曲率半径均匀的微透镜线列。本方法为优化单片集成红外微透镜列阵的聚光能力提供了依据，对于提高器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN103853642A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020845.7
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于USB3.0的红外数字图像注入式仿真系统及方法，它主要用于为红外图像实时信号处理平台提供仿真环境。该系统包括一台带有USB3.0接口的主机和一个红外数字图像注入式仿真器，其中仿真器又包括USB3.0控制器芯片、FPGA、DDR2SDRAM以及外围设备接口。该系统的注入式仿真方法包含以下几个方面：1.将USB3.0控制器芯片配置成Slave？FIFO模式，建立一个DMA传输通道；2.利用FPGA内建的图像数据接收模块从Slave？FIFO中读取数据；3.利用FPGA内建的图像数据缓存模块读写DDR2SDRAM以实现数据的高速缓存；4.利用三种不同的接口方式将数据发送至后级平台。本发明的优点在于：采用最新的USB3.0协议，数据传输速率高，实时性好，便携性强。
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公开(公告)号：CN103413839A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310325082.2
申请日：2013-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C16/34 , H01L31/105
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法，所述的双层钝化膜为利用光刻技术保留在器件表面和台面侧面的上、下两层的双层Si3N4薄膜，其制备工艺为：在AlGaN基紫外探测器表面和台面侧面采用感应耦合等离子体化学气相沉积方法沉积双层Si3N4薄膜，首先沉积一层应力与AlGaN层应力相近的下层Si3N4薄膜，然后沉积一层致密的上层Si3N4薄膜，待上述双层膜沉积以后通过光刻和刻蚀工艺保留器件表面和台面侧面的Si3N4双层膜。本发明实现了AlGaN基紫外探测器中钝化膜的低应力、高致密度、耐腐蚀的优势。
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公开(公告)号：CN203456486U
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201320460221.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/0248
Abstract: 本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si3N4钝化膜、上层Si3N4钝化膜，n欧姆接触电极位于n型AlGaN层上，p欧姆接触电极位于p型AlGaN层上。本实用新型的优点在于AlGaN基紫外探测器中钝化膜应力低、致密度高、耐腐蚀。
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