公开(公告)号：CN102376824B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201110317200.6

申请日：2011-10-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 朱耀明 ,  李雪 ,  龚海梅 ,  唐恒敬 ,  李淘 ,  魏鹏 ,  王云姬 ,  邓洪海 ,  刘诗嘉 ,  张在实 ,  汤亦聃 ,  乔辉

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。

公开(公告)号：CN102376824A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110317200.6

申请日：2011-10-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 朱耀明 ,  李雪 ,  龚海梅 ,  唐恒敬 ,  李淘 ,  魏鹏 ,  王云姬 ,  邓洪海 ,  刘诗嘉 ,  张在实 ,  汤亦聃 ,  乔辉

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。