公开(公告)号：CN103413839A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310325082.2

申请日：2013-07-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘秀娟 ,  张燕 ,  李向阳 ,  王立伟 ,  卢怡丹 ,  常超

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  C23C16/34 ,  H01L31/105

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器及制备方法，所述的双层钝化膜为利用光刻技术保留在器件表面和台面侧面的上、下两层的双层Si3N4薄膜，其制备工艺为：在AlGaN基紫外探测器表面和台面侧面采用感应耦合等离子体化学气相沉积方法沉积双层Si3N4薄膜，首先沉积一层应力与AlGaN层应力相近的下层Si3N4薄膜，然后沉积一层致密的上层Si3N4薄膜，待上述双层膜沉积以后通过光刻和刻蚀工艺保留器件表面和台面侧面的Si3N4双层膜。本发明实现了AlGaN基紫外探测器中钝化膜的低应力、高致密度、耐腐蚀的优势。

公开(公告)号：CN102593233A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210073695.7

申请日：2012-03-19

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘福浩 ,  许金通 ,  李向阳 ,  王荣阳 ,  刘秀娟 ,  陶利友 ,  刘诗嘉 ,  孙晓宇

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN结构紫外探测器件及制备方法，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本发明方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。

公开(公告)号：CN103855251A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201410020943.0

申请日：2014-01-17

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 徐鹏霄 ,  乔辉 ,  张可锋 ,  李向阳 ,  王仍 ,  刘诗嘉 ,  徐斌 ,  刘秀娟 ,  卢怡丹 ,  王立伟 ,  常超

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09 ,  B81C1/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1832

Abstract: 本发明公开了一种单片集成式红外微透镜线列的制备方法，该方法工艺上采用光刻套刻结合ICP干法刻蚀的手段，然后采用化学湿法腐蚀制备出曲率半径均匀的微透镜线列。本方法为优化单片集成红外微透镜列阵的聚光能力提供了依据，对于提高器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN203456486U

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201320460221.8

申请日：2013-07-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘秀娟 ,  张燕 ,  李向阳 ,  王立伟 ,  卢怡丹 ,  常超

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0248

Abstract: 本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si3N4钝化膜、上层Si3N4钝化膜，n欧姆接触电极位于n型AlGaN层上，p欧姆接触电极位于p型AlGaN层上。本实用新型的优点在于AlGaN基紫外探测器中钝化膜应力低、致密度高、耐腐蚀。

公开(公告)号：CN202534671U

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201220104052.X

申请日：2012-03-19

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 刘福浩 ,  许金通 ,  李向阳 ,  王荣阳 ,  刘秀娟 ,  陶利友 ,  刘诗嘉 ,  孙晓宇

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352

Abstract: 本实用新型公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本专利方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。