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公开(公告)号：CN101527308A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910049111.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。
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公开(公告)号：CN102544043B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210019745.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻的子像元有效吸收，在探测器量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀。另外，这种结构减少了扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。本设计是一种可以抑制串音、降低器件盲元率及器件暗电流的新型平面型器件结构。
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公开(公告)号：CN102544222A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019114.1
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。所制备的探测器在量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。
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公开(公告)号：CN101614610A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910055333.3
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置，它由光源系统、偏振态控制系统、光阑、待测InGaAs探测器、电流放大器和示波器组成，其中偏振态控制系统由两个格兰－汤普森棱镜组成，用于产生纯净的线偏振光；待测InGaAs探测器置于一侧开孔的圆形柯伐管壳中，并且将光源系统、偏振态控制系统、光阑和待测InGaAs探测器置于光、热屏蔽罩中，通过旋转探测器的方式，使不同振动方向的线偏振光入射到探测器的光敏面上，可得到正入射和斜入射情况下InGaAs探测器的偏振敏感响应。本发明的装置和方法简捷实用、测试精度高，并可推广应用到可见光探测器的偏振敏感响应测试中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102376824A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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公开(公告)号：CN101614610B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910055333.3
申请日：2009-07-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置，它由光源系统、偏振态控制系统、光阑、待测InGaAs探测器、电流放大器和示波器组成，其中偏振态控制系统由两个格兰-汤普森棱镜组成，用于产生纯净的线偏振光；待测InGaAs探测器置于一侧开孔的圆形柯伐管壳中，并且将光源系统、偏振态控制系统、光阑和待测InGaAs探测器置于光、热屏蔽罩中，通过旋转探测器的方式，使不同振动方向的线偏振光入射到探测器的光敏面上，可得到正入射和斜入射情况下InGaAs探测器的偏振敏感响应。本发明的装置和方法简捷实用、测试精度高，并可推广应用到可见光探测器的偏振敏感响应测试中。
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公开(公告)号：CN101527308B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910049111.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/109 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形成保护环电极及环形遮盖电极。本发明的优点在于一体设计的浅隔离槽与保护环可有效地抑制阵列器件相邻光敏面之间的串音和光敏面扩大现象，辅以小扩散孔及环形遮盖电极能进一步抑制光敏面的扩大并对光敏面进行精确定义。在平面型延伸波长InGaAs阵列器件中，浅隔离槽的引入还可以有效抑制由于材料的晶格失配造成的相邻光敏面P电极间的漏电流。
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公开(公告)号：CN102376824B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110317200.6
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制备的成品率，特别适用于长线列和面阵探测器研制，同时消除了高温快速退火过程对钝化膜与材料表面接触状态的影响；另一方面，在离子刻蚀后引入热处理的工艺，有效地减小材料表面由于刻蚀离子所引入的表面固定电荷，并采用化学腐蚀、硫化的方法去除表面氧化物和减少离子刻蚀后表面的晶格损伤、悬挂键，降低表面态密度，有效减小表面复合暗电流。
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公开(公告)号：CN102544043A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019745.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻的子像元有效吸收，在探测器量子效率不降低的前提下，光敏元响应均匀。另外，这种结构减少了扩散区域从而有效地减少了扩散热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流；对于线列探测器，这种结构可以有效地降低盲元率，抑制光敏元扩大和串音。本设计是一种可以抑制串音、降低器件盲元率及器件暗电流的新型平面型器件结构。
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