半导体器件的多层铜线路检测方法

    公开(公告)号:CN115900554A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211092367.1

    申请日:2022-09-08

    Abstract: 本申请提供一种半导体器件的多层铜线路检测方法,该方法包括对待分析半导体器件的金属盖进行处理,以去除待分析半导体器件的金属盖;基于切片机对去金属盖的待分析半导体器件进行切割处理;基于暴露的第一层线路的图像检测第一层线路的宽度和长度;对待分析半导体器件进行抛光,直至待分析半导体器件的第二层线路暴露;基于蚀刻液对待分析半导体器件进行蚀刻处理,以去除铜延展部分;第二层线路的图像对第二层线路的宽度和长度进行检测;测待分析半导体器的所有线路层的宽度和长度。本申请能够检测半导体多层线路的宽度和长度,同时能够克服铜延展对线路的宽度和长度检测的影响,从而能够提高线路的宽度和长度的检测精度。

    芯片测试装置和方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118473407A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410589700.2

    申请日:2024-05-13

    Inventor: 翟芳 黄伟冠 肖慧

    Abstract: 本申请涉及一种芯片测试装置和方法。芯片测试装置包括测试母板和多个测试子板;测试母板包括控制组件和电源组件;测试子板包括供电端和连接组件;其中,不同的测试子板中的连接组件用于连接不同的待测试芯片;其中,电源组件分别与各测试子板中的供电端连接,以在控制组件的控制下为各测试子板中的待测试芯片提供所需的测试电压。采用本申请,通过电源组件分别与各测试子板中的供电端连接不同的待测试芯片,避免了每个待测试芯片都需要单独的测试装置,降低了芯片测试成本。

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