-
公开(公告)号：CN117169260A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311143966.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/20008 , G01N1/28 , G01N1/32
Abstract: 本申请提供一种有铅合金的EBSD样品制备方法、装置、电子设备和存储介质，其中，有铅合金的EBSD样品制备方法包括控制自动研磨机对切片样品进行研磨和抛光等步骤，其中，切片样品基于有铅合金制成，自动研磨机的样品重量调整范围为0‑600克，切片样品在研磨和抛光过程中的增量为100克，自动研磨机的材料去除率为1微米，自动研磨机的研磨方式为摆动研磨，自动研磨机的抛光方式为变速旋转抛光、振荡抛光和负荷控制抛光。本申请能够实现有铅合金的EBSD样品的自动制备，与现有技术相比，本申请具有研磨力度均匀、磨削厚度可控和能够适应材料之间的软硬差别等优点，进而能够提高切片样本的研磨精度，从而得到符合要求的EBSD样品。
-
公开(公告)号：CN116598199A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202211675974.0
申请日：2022-12-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种正装封装芯片的背面减薄方法，通过从芯片背后去挖孔、露出芯片背面进行减薄，集成激光刻蚀、区域研磨、精细抛光等多种制样技术，分别去除芯片背部的多种材料，解决芯片背面各种材料的去除问题。同时采用温度监测及制冷装置，对芯片制冷，将芯片温度控制在常温，解决减薄过程中产生的热量对芯片的影响问题。进一步地，对于带空腔的正装封装，注入环氧树脂并固封，形成保护层为芯片提供支撑，解决去除各种材料时芯片的受力问题。
-
公开(公告)号：CN115902574A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211045747.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种缺陷检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：获取目标芯片在预设工作条件下的寿命变化信息；根据预先建立的映射关系和所述寿命变化信息，确定所述目标芯片对应的目标空洞面积比，并将所述目标空洞面积比作为缺陷检测结果；其中，所述映射关系包括多个工作条件下，不同空洞面积比对应的寿命时间变化情况，所述空洞面积比用于表征空洞面积与通孔面积的比值。采用本方法能够确定整批芯片的通孔填充效果，从而对整批芯片作出接收或拒收判断。
-
公开(公告)号：CN115900554A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211092367.1
申请日：2022-09-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01B11/02
Abstract: 本申请提供一种半导体器件的多层铜线路检测方法，该方法包括对待分析半导体器件的金属盖进行处理，以去除待分析半导体器件的金属盖；基于切片机对去金属盖的待分析半导体器件进行切割处理；基于暴露的第一层线路的图像检测第一层线路的宽度和长度；对待分析半导体器件进行抛光，直至待分析半导体器件的第二层线路暴露；基于蚀刻液对待分析半导体器件进行蚀刻处理，以去除铜延展部分；第二层线路的图像对第二层线路的宽度和长度进行检测；测待分析半导体器的所有线路层的宽度和长度。本申请能够检测半导体多层线路的宽度和长度，同时能够克服铜延展对线路的宽度和长度检测的影响，从而能够提高线路的宽度和长度的检测精度。
-
公开(公告)号：CN114646638A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210378120.X
申请日：2022-04-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/84
Abstract: 本申请提供一种芯片失效分析定位方法、装置、设备及存储介质，其中，芯片失效分析定位方法包括以下步骤：获取待分析产品的芯片层的结构图像，所述待分析产品包括至少两层芯；根据所述芯片层的结构图像构建所述待分析产品的三维图像；基于所述待分析产品的三维图像对所述待分析产品进行失效定位分析。本申请能够形成三维图像，从而能够基于三维图像高效地对整个芯片进行失效分析。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113921424A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111157474.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请提供一种陶瓷封装芯片去层制样方法，该方法包括：通过研磨或机械方式将目标芯片的金属盖打开，所述目标芯片通过陶瓷封装；利用包封环氧胶对所述目标芯片进行包封，得到包封环氧胶的样品；将所述包封环氧胶的样品放入烘箱中烘烤硬化，得到烘烤硬化后的样品；切割所述烘烤硬化后的样品的陶瓷壳体，得到切割后的样品，所述切割后的样品包括芯片部位和位于所述芯片部位四周的包封环氧胶；对所述研磨后的样品进行抛光，得到去层后的芯片等步骤。本申请能够对陶瓷封装芯片进行去层处理，以露出陶瓷封装芯片内的电路结构，并避免破坏所述陶瓷封装芯片内的电路结构。
-
公开(公告)号：CN109623541A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811203889.8
申请日：2018-10-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种BGA封装器件焊球去除设备及其方法，其中，BGA封装器件焊球去除设备包括处理设备、传动设备、用于研磨BGA封装器件的焊球的研磨机、用于感应BGA封装器件压力的压力传感器、以及用于固定BGA封装器件的夹具；传动设备与夹具相连；BGA封装器件的焊球面朝向研磨机；处理设备分别连接传动设备、压力传感器和研磨机；处理设备驱动传动设备带动夹具朝研磨机方向移动；压力传感器将感应到的BGA封装器件的压力传输给处理设备；处理设备在压力等于预设压力时，启动研磨机，以使研磨机对BGA封装器件的焊球进行研磨。本发明实施例能够实现BGA封装器件焊球去除，防止对BGA封装器件基板造成机械损伤，优化了BGA封装器件焊球去除效果。
-
公开(公告)号：CN115579352A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211023143.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/544 , G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种电迁移寿命时间测试方法、测试组件、计算机设备、介质。方法包括：在多组不同测试温度下，获取多根预设金属互连线的第一中位失效时间；针对每组不同测试温度，根据不同测试温度下多根预设金属互连线的第一中位失效时间，计算各组第一目标测试温度对应的激活能；第一目标测试温度为基于不同测试温度所计算出的；根据各组第一目标测试温度对应的激活能，预测工作温度下电迁移效应的目标激活能，根据目标激活能计算待测金属互连线的寿命；测试温度高于工作温度。采用本方法能够对激活能参数进行修正，准确地计算待测金属互连线在工作温度下的寿命。
-
公开(公告)号：CN113945434A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110907464.0
申请日：2021-08-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请提供一种芯片去层加工方法及系统，其中，芯片去层加工方法包括步骤将目标芯片进行激光开封，使所述目标芯片露出部分键合引线；将开封后的所述目标芯片进行砂纸打磨，使所述目标芯片被研磨到有机膜层；对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。本申请能够实现在对芯片进行去层加工时，使得芯片的边缘的金属布线保留完整，从而便于分析去层后的芯片。
-
公开(公告)号：CN110211876B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910351680.4
申请日：2019-04-28
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/304
Abstract: 本申请提供了一种芯片的加工方法，涉及半导体器件处理技术领域。本申请实施例提供的芯片加工方法，通过对印制电路板上的芯片进行调平、初次减薄和二次减薄等步骤后，可以将芯片的厚度减薄至满足地面单粒子效应测试的厚度，通过这样的物理减薄，避免先减薄后焊接的操作流程中，重新焊接芯片带来的芯片变形等情况，同时避免了化学减薄过程中很容易出现的过腐蚀或腐蚀不足的情况。即使使用能量交底的低能重离子，也可以对本申请中减薄后的芯片进行单粒子效应测试，降低了单粒子效应测试中对重离子加速器的能量要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.058 seconds)
