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公开(公告)号：CN117393660A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311324326.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种微型发光二极管的巨量转移装置和巨量转移方法，巨量转移装置包括光源发生器，用于提供第一照射光和第二照射光，所述第一照射光的波长和第二照射光的波长不同；透明中间转移基板，包括预转移基板和成型转移基板；所述成型转移基板包括光响应功能层和所述预转移基板；所述光响应功能层在所述第一照射光的照射下发生聚合反应，并在所述第二照射光的照射下发生解聚合反应。本发明利用光响应功能层的可逆光交联聚合和解聚合过程，可以实现单批次大量微型发光二极管的精确转移，具有转移效率高及转移良率高等优点，有利于微型发光二极管的大规模商业化发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119024123A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411340968.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种元器件失效检测方法及元器件失效检测装置。所述方法包括：获取待测元器件的目标膜层的热阻参考值，所述热阻参考值为对所述待测元器件施加电应力确定的热阻值；所述待测元器件施加所述电应力和温度应力，并获取所述待测元器件的目标膜层的热阻测量值；根据所述热阻测量值和所述热阻参考值确定所述待测元器件的失效检测结果。该方法能够分析半导体器件在热应力下的失效情况。
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公开(公告)号：CN116973673B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311239395.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的失效定位方法、装置、系统及计算机设备，通过向空载探针中发送测试信号，获取测试信号对应的第一阻抗变化点，然后将探针与待测样品连接，并向与探针连接的待测样品发送测试信号，以获取待测样品的第二阻抗变化点，根据待测样品的环境试验条件确定待测样品是否失效，在待测样品失效的情况下，获取待测样品的阻抗信号超过失效阈值的失效时间，然后根据测试信号的传输距离、失效时间、第一阻抗变化点对应的第一时间以及第二阻抗变化点对应的第二时间确定待测样品的失效点位置，实现了失效点的精确定位，提高了失效分析的效率和精确性。
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公开(公告)号：CN116973673A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311239395.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的失效定位方法、装置、系统及计算机设备，通过向空载探针中发送测试信号，获取测试信号对应的第一阻抗变化点，然后将探针与待测样品连接，并向与探针连接的待测样品发送测试信号，以获取待测样品的第二阻抗变化点，根据待测样品的环境试验条件确定待测样品是否失效，在待测样品失效的情况下，获取待测样品的阻抗信号超过失效阈值的失效时间，然后根据测试信号的传输距离、失效时间、第一阻抗变化点对应的第一时间以及第二阻抗变化点对应的第二时间确定待测样品的失效点位置，实现了失效点的精确定位，提高了失效分析的效率和精确性。
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公开(公告)号：CN119786463A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411763635.7
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/38 , H01L23/34 , H01L23/367 , G05D23/20
Abstract: 本申请涉及一种芯片的散热装置。可以解决功率器件内部积累的热量无法散失，导致功率器件长期在高温环境中工作，降低器件的可靠性，造成功率器件失效的问题，提高了功率器件的电性。该芯片的散热装置包括温度检测单元、第一控制单元、第一散热单元、第二控制单元和第二散热单元，温度检测单元用于检测目标芯片的温度，第一控制单元用于在目标芯片的温度位于第一预设温度的情况下，生成第一散热信号，第一散热单元用于设置于所述目标芯片的一侧，以对所述目标芯片进行散热，第二控制单元用于在所述目标芯片的温度位于第二预设温度的情况下，生成第一散热信号，第二散热单元用于设置于所述目标芯片的一侧，以对所述目标芯片进行散热。
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公开(公告)号：CN116401850A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310326580.2
申请日：2023-03-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F30/27 , G06F119/08
Abstract: 本申请涉及一种叠层封装芯片结温预测方法、装置、计算机设备和存储介质。属于计算机技术领域，所述方法包括：基于叠层封装芯片中各组件的组件热阻、各层芯片到空气之间的热阻，以及叠层封装芯片中的底层芯片与关联基板组件的扩散热阻，确定叠层封装芯片中各层芯片的自身热阻和耦合热阻，再基于叠层封装芯片中各层芯片的自身热阻和耦合热阻，确定叠层封装芯片的热阻表示，最后基于叠层封装芯片的热阻表示、环境温度和各层芯片的功率，预测叠层封装芯片的结温，考虑更加全面，使得预测得到的叠层封装芯片结温结果更加准确，并且本申请相较于传统的结温预测方法，无需利用仿真技术，预测难度更低，大幅提高了叠层封装芯片结温预测效率。
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