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公开(公告)号：CN117129457A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311111029.2
申请日：2023-08-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种高分子聚合物材料老化的荧光检测方法，包括如下步骤，首先配制含有荧光探针分子的探针分子溶液；其次使用探针分子溶液对待测材料进行原位荧光标记；最后原位观察并判断待测材料的老化程度。本申请的荧光检测方法通过在疑似老化的待测材料上原位进行荧光标记，基于经验通过肉眼或放大镜观察即可判断待测材料是否老化以及老化的程度；优选的，还可以基于探照灯对荧光染色处测定荧光强度，从而更确切的判断待测材料的老化程度。相较于传统的待测材料老化的荧光检测方法，避免了取样步骤对待检测产品造成的破坏、准确度高、简单易操作，适合广泛推广使用。
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公开(公告)号：CN118794794A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411089507.9
申请日：2024-08-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请PCB板性能检测技术领域，特别是涉及一种盲孔抗拉强度原位测试方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：采样获得具有至少三个电镀盲孔结构的测试板；对所述电镀盲孔结构和拉拔探头进行表面粗糙度处理；控制所述拉拔探头对准所述电镀盲孔结构，并将所述拉拔探头的表面与所述电镀盲孔结构的表面进行常温键合；按照预设速度，对所述拉拔探头进行原位拉拔，直至所述测试板出现预设变化现象时，记录所述电镀盲孔结构的抗拉强度值。采用本方法能够直接反映电镀盲孔结构的实际状态且提高抗拉强度准确性。
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公开(公告)号：CN117393660A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311324326.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种微型发光二极管的巨量转移装置和巨量转移方法，巨量转移装置包括光源发生器，用于提供第一照射光和第二照射光，所述第一照射光的波长和第二照射光的波长不同；透明中间转移基板，包括预转移基板和成型转移基板；所述成型转移基板包括光响应功能层和所述预转移基板；所述光响应功能层在所述第一照射光的照射下发生聚合反应，并在所述第二照射光的照射下发生解聚合反应。本发明利用光响应功能层的可逆光交联聚合和解聚合过程，可以实现单批次大量微型发光二极管的精确转移，具有转移效率高及转移良率高等优点，有利于微型发光二极管的大规模商业化发展。
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公开(公告)号：CN116337956A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310283557.X
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及材料测试技术领域，特别是涉及一种样品测试箱和样品测试方法。所述样品测试箱包括：箱体和控制器，其中，箱体设置有环境调节装置，且环境调节装置与控制器连接，箱体内部设置有样本放置台，用于放置待测样品，控制器用于在获取到样品老化事件的情况下，调节环境调节装置，为待测样品创建老化环境，以加速待测样品老化，样品放置台与外部介电测试装置连接，用于在待测样品老化的过程中，通过外部介电测试装置对待测样品的介电性能进行测试。采用上述样品测试箱，能够测量待测样品老化过程中介电性能的变化。
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公开(公告)号：CN119438070A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411592907.1
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种芯片拉拔力测试夹具及芯片拉拔力测试方法。芯片拉拔力测试夹具包括支撑机构、粘接板以及连接机构，粘接板固定于支撑机构，粘接板包括用于与待测试芯片的第一表面粘接配合的第一粘接面，第一粘接面在第一表面上的正投影能够覆盖第一表面。连接机构的一端具有用于与待测试芯片的第二表面粘接配合的第二粘接面，并且第二粘接面在第二表面上的正投影能够覆盖第二表面，连接机构的另一端用于连接至万能试验机。上述芯片拉拔力测试夹具及芯片拉拔力测试方法可满足大尺寸高密度的倒装芯片的拉拔力测试需求，保证了对倒装芯片拉拔力测试的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119024123A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411340968.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种元器件失效检测方法及元器件失效检测装置。所述方法包括：获取待测元器件的目标膜层的热阻参考值，所述热阻参考值为对所述待测元器件施加电应力确定的热阻值；所述待测元器件施加所述电应力和温度应力，并获取所述待测元器件的目标膜层的热阻测量值；根据所述热阻测量值和所述热阻参考值确定所述待测元器件的失效检测结果。该方法能够分析半导体器件在热应力下的失效情况。
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公开(公告)号：CN116973673B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311239395.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的失效定位方法、装置、系统及计算机设备，通过向空载探针中发送测试信号，获取测试信号对应的第一阻抗变化点，然后将探针与待测样品连接，并向与探针连接的待测样品发送测试信号，以获取待测样品的第二阻抗变化点，根据待测样品的环境试验条件确定待测样品是否失效，在待测样品失效的情况下，获取待测样品的阻抗信号超过失效阈值的失效时间，然后根据测试信号的传输距离、失效时间、第一阻抗变化点对应的第一时间以及第二阻抗变化点对应的第二时间确定待测样品的失效点位置，实现了失效点的精确定位，提高了失效分析的效率和精确性。
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公开(公告)号：CN116234396A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310325527.0
申请日：2023-03-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种发光器件及其制备方法。该方法包括：提供基板；于基板上形成导向模板，并基于导向模板采用导向自组装工艺于基板上形成发光层。本申请在制备发光层的过程中，基于导向模板且采用导向自组装工艺于基板上形成发光层，无需精密金属掩膜版FMM或者印刷的喷墨头等的条件，即可形成大尺寸且精度高的OLED器件，这样显著的提高了OLED器件的制备工艺精度和增大了OLED器件的尺寸，避免了传统蒸镀工艺中金属掩膜版的工艺节点或者材料本身发生翘曲等问题，以及喷墨印刷工艺中，喷头、喷嘴及墨水材料流动性等的限制的问题。
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公开(公告)号：CN115440320A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210945278.0
申请日：2022-08-08
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种材料寿命确定方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法应用于电磁屏蔽导电高分子材料，包括基于第一数量个的环境参数和第二数量个的频率子范围，构建多组试验参数；获取在各组试验参数下对目标材料分别进行老化试验而得到试验结果，每次老化试验得到的试验结果包括目标材料的多个关键特征的特征值；对于每个关键特征，根据对应于相同环境参数的老化试验而得到的相应关键特征的特征值，确定与相应关键特征对应的目标特征值；对于每个环境参数，基于各目标特征值分别达到临界值所经历的时间段，确定在相应环境参数下目标材料的材料寿命。采用本方法能够对实际使用环境下的电磁屏蔽导电高分子材料进行寿命预测。
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公开(公告)号：CN119786463A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411763635.7
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/38 , H01L23/34 , H01L23/367 , G05D23/20
Abstract: 本申请涉及一种芯片的散热装置。可以解决功率器件内部积累的热量无法散失，导致功率器件长期在高温环境中工作，降低器件的可靠性，造成功率器件失效的问题，提高了功率器件的电性。该芯片的散热装置包括温度检测单元、第一控制单元、第一散热单元、第二控制单元和第二散热单元，温度检测单元用于检测目标芯片的温度，第一控制单元用于在目标芯片的温度位于第一预设温度的情况下，生成第一散热信号，第一散热单元用于设置于所述目标芯片的一侧，以对所述目标芯片进行散热，第二控制单元用于在所述目标芯片的温度位于第二预设温度的情况下，生成第一散热信号，第二散热单元用于设置于所述目标芯片的一侧，以对所述目标芯片进行散热。
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