中子发生器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107027236B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN201710405958.2

    申请日:2017-05-27

    Abstract: 本发明公开了中子发生器,包括绝缘管壁,绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板,另一端作为封接口,在安装基板上设置有一个环状阳极板,在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极,环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接,在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶;还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本发明结构采用了径向引出的方法,保持轴向放电的方式,金属离子仍然会分布在轴线上,最终大部分会损失在边壁上,而氘离子由于分布在边沿处,受引出电场的影响,会有较高的引出效率。

    一种沿面触发结构及其构成的真空弧离子源

    公开(公告)号:CN106356269B

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201610984994.4

    申请日:2016-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构,包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源,其中,触发绝缘块水平设置且其上端面为平面,触发极为圆环状,触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央,阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接,触发极馈电杆下端与触发电源正极连接,触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单,便于实现,成本低,且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性,便于推广应用。

    中子发生器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107027236A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710405958.2

    申请日:2017-05-27

    CPC classification number: H05H3/06

    Abstract: 本发明公开了中子发生器,包括绝缘管壁,绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板,另一端作为封接口,在安装基板上设置有一个环状阳极板,在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极,环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接,在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶;还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本发明结构采用了径向引出的方法,保持轴向放电的方式,金属离子仍然会分布在轴线上,最终大部分会损失在边壁上,而氘离子由于分布在边沿处,受引出电场的影响,会有较高的引出效率。

    高压脉冲前沿锐化装置及其组装方法

    公开(公告)号:CN105071790B

    公开(公告)日:2017-10-31

    申请号:CN201510427203.3

    申请日:2015-07-20

    Abstract: 本发明公开了一种高压脉冲前沿锐化装置及其组装方法,装置包括至少3级铁氧体同轴传输线,相邻两级铁氧体同轴传输线5之间通过连接电缆连接,所述铁氧体同轴传输线包括中心导体、套设在中心导体外的绝缘层、套设在绝缘层外的铁氧体磁环和包敷在铁氧体磁环外的外壳。本发明采用三级或更多级铁氧体同轴传输线实现脉冲锐化,每级之间采用足够长度的连接电缆连接,能够有效减小传输后的高压脉冲的上升时间,可以对高压脉冲前沿进行有效的锐化,且多级锐化效果显著;全部采用无源器件,只需将输入高压脉冲的电缆连接到本发明的输入端,高压脉冲通过本发明后,即可在输出端获得经过锐化的高压脉冲,结构简单,使用和控制更方便,并且可靠性高。

    一种沿面触发结构及其构成的真空弧离子源

    公开(公告)号:CN106356269A

    公开(公告)日:2017-01-25

    申请号:CN201610984994.4

    申请日:2016-11-09

    CPC classification number: H01J27/022 H01J27/08

    Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构,包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源,其中,触发绝缘块水平设置且其上端面为平面,触发极为圆环状,触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央,阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接,触发极馈电杆下端与触发电源正极连接,触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单,便于实现,成本低,且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性,便于推广应用。

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