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公开(公告)号：CN106356269A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610984994.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
CPC classification number: H01J27/022 , H01J27/08
Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN106353259A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610984993.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了含氘电极真空弧离子源瞬态氘分子气压的测量方法，包括以下步骤：步骤一、向真空弧离子源的真空腔添加示踪气体；步骤二、测量放电前通入真空腔的示踪气体气压；步骤三、测量放电后某一瞬间示踪元素和氘原子的光谱强度，并计算此时示踪元素与氘原子两者光谱强度的比值；步骤四、采用放电前测得的示踪气体气压除以步骤三所获得的光谱强度比值，得到步骤三测量时刻的瞬时氘分子气压。本发明还公开了实施上述测量方法的装置。本发明应用时能在不干扰放电的前提下快速得到局域瞬态氘分子气压。
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公开(公告)号：CN119260092A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411378696.1
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种铍箔与不锈钢件封接的方法，包括步骤：S1、预处理，将铍箔进行去油清洗、酸洗，去除表面的油污、氧化物；对不锈钢件、焊料进行包括去油清洗的预处理，去除表面的油污；S2、装配，由下而上依次将铍箔、焊料、不锈钢件的进行装配，得到待钎焊的装配好的组件；S3、钎焊，将装配好的组件置于真空炉内，升高真空炉的炉温并保温，通过高温分解铍箔上的氧化物，使焊料能够有效润湿铍箔，充分有效反应，保温结束后控制降温至室温，取出钎焊后封接件。依据本发明的铍箔与不锈钢件封接法能够有效破除铍箔表面的氧化物，焊料对不锈钢件具有良好的润湿性，发生反应，从而直接实现铍箔与不锈钢件之间的焊接，获得高质量的铍箔与不锈钢件封接件。
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公开(公告)号：CN106356269B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201610984994.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本发明还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本发明整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN119729987A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510075674.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明提供一种直流高压脉冲工作强流脉冲中子发生器，涉及中子发生器技术领域，包括主弧电源模块(3)、高压加速电源模块(9)和中子管(12)，本发明的中子发生器采用直流高压加速、脉冲模式工作的强流脉冲中子发生器工作和驱动方式，能够实现脉冲参数可调，且实现更加简单，将中子脉宽从亚μs拓宽到数ms，有助于拓宽强流脉冲中子发生器的应用领域，比如ms级的强流脉冲中子源可以应用在基于中子活化的质量流速及成分测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118315867A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410538320.6
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: H01R13/639 , H01R13/52 , H01R13/621 , H01R43/00 , H01R43/20
Abstract: 本发明涉及高压电缆插头技术领域，具体涉及一种用于电子束焊机的高压电缆插头及其制备方法，包括：电缆头插针、环氧树脂头、电缆头固定环、高压电缆、电缆头压筒、电缆头压环法兰，电缆头插针连接在环氧树脂头的顶端，高压电缆连接在环氧树脂头的底端，电缆头固定环与环氧树脂头的底端连接；电缆头压筒与高压电缆固定连接，电缆头压筒的端面与电缆头固定环的端面连接；电缆头压环法兰与电缆头压筒连接；本发明可以保证电缆头环氧树脂与插座的侧接触面完全且紧密贴合，保证了高压电缆插头的耐高压能力和使用可靠性；同时，通过电缆头固定环、电缆头压筒以及电缆头压环法兰保证了与高压电缆插座的连接稳定性。
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公开(公告)号：CN117645504A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311673105.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本申请提供了一种铁氧体陶瓷金属化及钎焊的方法，包括：将BaCO3粉末、SiO2粉末、CaO粉末、MgO粉末以及Al2O3粉末混合后在1300～1400℃下煅烧1～2小时，取出依次进行水淬和研磨，得到低温共熔物；将Ag粉末、CuO粉末以及低温共熔物混合研磨后与有机物制成膏体，将膏体涂覆于铁氧体陶瓷表面，烘干后进行2个阶段的煅烧，最后自然冷却至室温，得到金属化铁氧体陶瓷，将金属化铁氧体陶瓷、焊料以及金属装配进行钎焊。无机氧化物在金属化烧结过程中金属化层，与Ag在烧结后可以长期在800℃以上的高温工作，金属化层可以耐受银基焊料及常用的低温焊料的溶蚀，有效实现金属化后铁氧体陶瓷与金属的钎焊。
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公开(公告)号：CN106353259B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201610984993.X
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了含氘电极真空弧离子源瞬态氘分子气压的测量方法，包括以下步骤：步骤一、向真空弧离子源的真空腔添加示踪气体；步骤二、测量放电前通入真空腔的示踪气体气压；步骤三、测量放电后某一瞬间示踪元素和氘原子的光谱强度，并计算此时示踪元素与氘原子两者光谱强度的比值；步骤四、采用放电前测得的示踪气体气压除以步骤三所获得的光谱强度比值，得到步骤三测量时刻的瞬时氘分子气压。本发明还公开了实施上述测量方法的装置。本发明应用时能在不干扰放电的前提下快速得到局域瞬态氘分子气压。
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公开(公告)号：CN206134644U
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201621208603.1
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种沿面触发结构，包括阴极、触发极、触发绝缘块、触发极馈电杆及触发电源，其中，触发绝缘块水平设置且其上端面为平面，触发极为圆环状，触发极水平设置于触发绝缘块上端面。阴极穿过触发绝缘块且其上端的端头部位设于触发极中央，阴极下端与触发电源负极连接。触发极馈电杆穿过触发绝缘块且其上端与触发极连接，触发极馈电杆下端与触发电源正极连接，触发绝缘块上端面位于阴极与触发极之间的区域涂覆有金属薄膜。本实用新型还公开了上述沿面触发结构构成的真空弧离子源。本实用新型整体结构简单，便于实现，成本低，且应用时能提升触发放电的可靠性和离子源稳定性，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN212433427U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021329126.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 中国工程物理研究院流体物理研究所
IPC: G01T1/38 , G01N23/201
Abstract: 本实用新型公开了电子弹性反冲探测系统，包括真空室，还包括置于真空室中的电子枪、靶材料和探测器，所述电子枪和探测器均安装在靶材料上方；所述电子枪用于提供轰击靶材料的入射粒子束，所述电子枪提供的入射粒子束为低能量电子束；所述探测器用于接收入射粒子束轰击靶材料后产生的弹性反冲氢离子。本实用新型采用低能量电子束作为入射粒子束，在不损伤材料表面的同时对其氢同位素的测量分辨率达到纳米级；解决了现有探测技术分辨率较低的问题。
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