公开(公告)号：CN108574003B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201810170688.6

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润载 ,  金东权 ,  金镐永 ,  刘真赫 ,  郑宇陈

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。

公开(公告)号：CN119028974A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410567366.0

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴重锡 ,  金镐永

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/538 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面；有源图案，其位于所述第一表面上并且在第二方向上延伸；栅电极，其在所述有源图案上沿第三方向延伸；源极/漏极图案，其位于所述栅电极的至少一侧并且连接到所述有源图案；栅极切割结构，其位于所述有源图案的一侧并且切割所述栅电极，所述栅极切割结构包括在所述第一方向上彼此相对的第三表面和第四表面，并且所述第四表面与所述衬底的所述第二表面共面；电力轨，其位于所述衬底的所述第二表面上并且在所述第二方向上延伸；以及通路接触，其穿过所述衬底，所述通路接触的第一端接触所述电力轨，并且通路接触的第二端连接到所述源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN109590894A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201810929800.X

申请日：2018-08-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  二和金刚石工业株式会社

Inventor： 韩率 ,  金荣俊 ,  金镐永 ,  文斗植 ,  朴星五 ,  张永锡 ,  朴宣奎 ,  吴奎旼 ,  李周翰

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B53/017 ,  B24B53/12 ,  B24B57/02 ,  B24D18/00

Abstract: 提供了一种化学机械抛光方法和一种制造半导体器件的方法。所述化学机械抛光方法包括：提供垫整修器，使得所述垫整修器包括底部和从所述底部的表面突出的多个顶端；调节所述多个顶端中的每个顶端的上表面的表面粗糙度；以及使用所述多个顶端的上表面的调节后的表面粗糙度来调节化学机械抛光的抛光速率。

公开(公告)号：CN108574003A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810170688.6

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润载 ,  金东权 ,  金镐永 ,  刘真赫 ,  郑宇陈

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。

公开(公告)号：CN108231689B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201711281149.1

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵起浩 ,  金载皙 ,  金镐永 ,  尹普彦 ,  李暻泰 ,  金官性 ,  朴恩智

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的栅电极；在所述栅电极上形成封盖图案；形成填充相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成具有开口的硬掩模，所述开口选择性地暴露第二封盖图案至第四封盖图案；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述第二栅电极和第三栅电极之间以及所述第三栅电极和第四栅电极之间的所述层间电介质层中形成孔；在所述孔中形成阻挡层和导电层；执行第一平坦化以暴露所述硬掩模；执行第二平坦化以暴露所述阻挡层的覆盖第二封盖图案至第四封盖图案的部分；以及执行第三平坦化以完全暴露所述第一封盖图案至第四封顶图案。

公开(公告)号：CN108690505A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810269562.4

申请日：2018-03-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 文斗植 ,  朴尚铉 ,  尹普彦 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  李载鹤 ,  黄珍明

IPC: C09G1/02

Abstract: 提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，所述浆料组合物包括：陶瓷抛光颗粒；分散剂；pH控制剂；以及与氮化硅具有亲和性的添加剂。

公开(公告)号：CN106449399A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610631559.3

申请日：2016-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔承勋 ,  金镐永 ,  朴起宽 ,  裴显敬 ,  尹普彦 ,  尹一永

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  B24B37/04 ,  B24B53/017

CPC classification number: H01L21/7684 ,  B24B37/042 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/3212 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供了形成插塞和制造半导体装置的方法、抛光室和半导体装置，形成插塞的方法包括：在衬底上的绝缘夹层图案中形成开口；形成金属层以填充开口；在将衬底按压至第一抛光垫上的同时，在第一时间段内执行第一CMP工艺直至暴露出绝缘夹层图案的顶表面，来抛光金属层；在将衬底按压至第二抛光垫上的同时，在第二时间段内执行第二CMP工艺，以抛光金属层和绝缘夹层图案，从而在绝缘夹层图案中形成金属插塞；以及在保持衬底与第二台板上的第二抛光垫间隔开的同时，对第二抛光垫执行第一清洁处理。

公开(公告)号：CN104347717A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L2229/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN104347717B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201410372950.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  金哲 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  金明哲 ,  姜甫京 ,  尹普彦 ,  崔在光 ,  崔时荣 ,  郑锡勋 ,  成金重 ,  郑熙暾 ,  崔容准 ,  韩智恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。

公开(公告)号：CN108231689A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711281149.1

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵起浩 ,  金载皙 ,  金镐永 ,  尹普彦 ,  李暻泰 ,  金官性 ,  朴恩智

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/66545 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的栅电极；在所述栅电极上形成封盖图案；形成填充相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成具有开口的硬掩模，所述开口选择性地暴露第二封盖图案至第四封盖图案；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述第二栅电极和第三栅电极之间以及所述第三栅电极和第四栅电极之间的所述层间电介质层中形成孔；在所述孔中形成阻挡层和导电层；执行第一平坦化以暴露所述硬掩模；执行第二平坦化以暴露所述阻挡层的覆盖第二封盖图案至第四封盖图案的部分；以及执行第三平坦化以完全暴露所述第一封盖图案至第四封顶图案。