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公开(公告)号：CN107968119B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710217824.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。
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公开(公告)号：CN116072678A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310119081.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。
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公开(公告)号：CN107017251B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201610900212.4
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。
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公开(公告)号：CN106910739B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201611191848.2
申请日：2016-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件，包括：基板，包括第一区域和第二区域；在第一区域中的第一鳍型图案；在第二区域中的第二鳍型图案；交叉第一鳍型图案的第一栅结构，第一栅结构包括第一栅间隔物；交叉第二鳍型图案的第二栅结构，第二栅结构包括第二栅间隔物；形成在第一鳍型图案上的第一栅结构的相反侧上的第一外延图案，第一外延图案具有第一杂质；形成在第二鳍型图案上的第二栅结构的相反侧上的第二外延图案，第二外延图案具有第二杂质；第一硅氮化物膜，沿着第一栅间隔物的侧壁延伸；以及第一硅氧化物膜，沿着第一栅间隔物的侧壁延伸。
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公开(公告)号：CN107046054B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201710064371.X
申请日：2017-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源区域和第二有源区域以及在第一有源区域与第二有源区域之间并且接触第一有源区域和第二有源区域的场绝缘膜；栅电极结构，横越第一有源区域和第二有源区域以及场绝缘膜，其中，栅电极结构包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分横跨第一有源区域和场绝缘膜设置，第二部分横跨第二有源区域和场绝缘膜设置，第三部分接触第一部分和第二部分。栅电极结构包括具有插入膜和在插入膜上的填充膜的栅电极，插入膜横越第一有源区域和第二有源区域以及场绝缘膜。在第三部分中的栅电极的厚度不同于在第一部分和第二部分中的栅电极的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558618B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201610847647.7
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
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公开(公告)号：CN106684147B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201610545881.4
申请日：2016-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。
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公开(公告)号：CN107527910A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710462835.2
申请日：2017-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件包括：第一鳍型有源区，在基板的第一区域中，第一鳍型有源区具有第一凹陷，该第一凹陷填充有第一源极/漏极区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个下部侧壁；第二鳍型有源区，在基板的第二区域中，第二鳍型有源区具有第二凹陷，该第二凹陷填充有第二源极/漏极区；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个下部侧壁；以及鳍绝缘间隔物，在第一器件隔离层上，鳍绝缘间隔物覆盖第一源极/漏极区下面的第一鳍型有源区的侧壁。
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公开(公告)号：CN107017163A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610890553.8
申请日：2016-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/02057 , H01L21/02658 , H01L21/02661 , H01L21/31116 , H01L29/66795 , H01L29/0847 , H01L29/785
Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括：形成在基板上突出的鳍型图案；形成交叉鳍型图案的栅电极；通过利用干蚀刻在第一鳍型图案内形成邻近于栅电极的第一凹陷；通过用包括沉积工艺和蚀刻工艺的表面处理工艺处理第一凹陷的表面而形成第二凹陷；以及在第二凹陷中形成外延图案。
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公开(公告)号：CN106803505A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201610943366.1
申请日：2016-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L28/00 , H01L29/0649 , H01L29/165 , H01L29/42372 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848 , H01L29/0684 , H01L29/08 , H01L29/0847
Abstract: 公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。
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