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公开(公告)号：CN114390226A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111202266.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：多个第一光电二极管，被包括在单位像素的第一区域中并配置为产生电荷；第二光电二极管，被包括在单位像素的第二区域中并配置为产生电荷；第一微透镜，设置在第一区域上方；第二微透镜，设置在第二区域上方；第一浮置扩散区，被包括在第一区域中；第二浮置扩散区，被包括在第二区域中；多个第一转移晶体管，配置为将所述多个第一光电二极管产生的电荷提供给第一浮置扩散区；以及第二转移晶体管，配置为将第二光电二极管产生的电荷提供给第二浮置扩散区。所述多个第一光电二极管的光接收面积之和大于第二光电二极管的光接收面积。
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公开(公告)号：CN108231689A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711281149.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L21/823475 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823437 , H01L23/5226 , H01L29/66545 , H01L21/823871 , H01L27/092 , H01L27/1104 , H01L27/1116
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的栅电极；在所述栅电极上形成封盖图案；形成填充相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成具有开口的硬掩模，所述开口选择性地暴露第二封盖图案至第四封盖图案；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述第二栅电极和第三栅电极之间以及所述第三栅电极和第四栅电极之间的所述层间电介质层中形成孔；在所述孔中形成阻挡层和导电层；执行第一平坦化以暴露所述硬掩模；执行第二平坦化以暴露所述阻挡层的覆盖第二封盖图案至第四封盖图案的部分；以及执行第三平坦化以完全暴露所述第一封盖图案至第四封顶图案。
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公开(公告)号：CN118231423A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311401362.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括多个像素，所述多个像素中的每个像素包括：第一光电二极管；第二光电二极管；第一转移晶体管，其连接到第一浮置扩散节点；第二转移晶体管，其连接到第二浮置扩散节点；第一复位晶体管，其被配置为利用第一复位电源电压复位所述第一浮置扩散节点；第二复位晶体管，其被配置为利用第二复位电源电压复位所述第二浮置扩散节点；开关晶体管，其将所述第二浮置扩散节点连接到所述第一浮置扩散节点；以及第一驱动晶体管，其被配置为根据所述第一浮置扩散节点的电压来输出输出电压。
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公开(公告)号：CN108231689B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201711281149.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H10B10/00
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开的栅电极；在所述栅电极上形成封盖图案；形成填充相邻栅电极之间的空间的层间电介质层；在所述层间电介质层上形成具有开口的硬掩模，所述开口选择性地暴露第二封盖图案至第四封盖图案；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模在所述第二栅电极和第三栅电极之间以及所述第三栅电极和第四栅电极之间的所述层间电介质层中形成孔；在所述孔中形成阻挡层和导电层；执行第一平坦化以暴露所述硬掩模；执行第二平坦化以暴露所述阻挡层的覆盖第二封盖图案至第四封盖图案的部分；以及执行第三平坦化以完全暴露所述第一封盖图案至第四封顶图案。
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